1.MOSFET模型
a. S-R模型：
1） 当VGS小于阈值时，源漏之间看做开路
2）当VGS大于等于阈值时，短路，或者看做是电阻
当VGS 在阈值两侧切换，漏源间电路会表现为： 开路--电阻---开路---电阻........
b. 但实际上，MOSFET非常复杂，实验中观察漏源间电流。可以看到：
在a 2)情形下：如果VDS 继续增加，会发现Ids 恒定，不再增加，达到饱和
第二种模型 SCS模型: 开关电流源模型
但VDS在超过某点后，IDS饱和，表现为电流源:
当VDS>VGS-VT 此时 iDS= （k/2）(VGS-VT)2 （饱和方程）。 iDS是由VGS确定的，不管VDS再加的多么大
2.
特性曲线：每条曲线都是当VGS给定时的 iDS-VGS 关系
三极区（线性区）, 饱和区， 截止区
约束条件：
VDS>VGS-VT 保证在饱和区
VGS>VT 保证开启
满足该约束条件时用SCS模型，否则用SR模型
一般对于数字电路，用SR模型，因为VDS在数字电路中一般都非常小，此时输出就是在高-低-高-低间切换
对于模电，用SCS模型，因为此时它表现的像电流源，它能实现放大。而在线性区是不能实现放大的。
3.分析：
目标：得到Vo关于Vi的方程
方法1 解析法： 列方程 1饱和方程
2 负载方程
方法2 图解法：负载线和输出的交叉点