在知网看到了江南大学的硕士论文：
双有源层a-IGZO薄膜晶体管的特性仿真
IGZO/IZO双有源层薄膜晶体管特性的模拟研究
发现，我昨天的文章中参数的设置存在重大失误，如下材料定义语句中：
material material=igzo eg300=3.5 nc300=8.5e21 nv300=8.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.35 mup=1 mun=35
eg300:禁带宽度
nc300/nv300:effective density of states for electrons and holes
taun0/taup0:electron and hole lifetimes(载流子寿命)
affinity:电子亲和势
mup/mun:electron and hole mobilities(两种载流子的迁移率)
上述已在（04）中提到过，然而对于nc与nv：
对于特定材料而言应为定值...吧？
上图为文献中给出的模拟参数。材料定义更改为下：
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=5e18 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15
输出：
其次，defect语句的引入还存在问题，我还以为引入缺陷越多，电流就会越高，实则不然。语句内各个参数定义并未完全理解，还需进一步查找资料。
啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊