一 小数据量的存储：
1.1：可以利用电容剩余电量（或法拉电容、电池）+掉电检测：在MCU的线性电源的前端引入检测电压经合适分压到MCU，通过比较器中断或掉电检测中断发现电压跌落，然后开始保存数据，通过实验测试跌落时能够保存多少数据，当不满足要求时增大前端电容。
1.2 ：利用mcu自带的eeprom或者flash模拟eeprom进行数据存储：eeprOM没什么说的，flash模拟时要看数据存储的频率，如果频率低就直接进行键值对或者指定内容的存储；如果频率高还要考虑磨损平衡问题。
二 ：常规的外扩存储芯片：eeprom/flash/铁电存储。如果数量量大可考虑用小容量的eeprom （定位存储地址和要修改的内容）+大容量的flash进行设计。
三第三方类工具：
3.1 文件系统：通过移植文件系统，在文件层面进行操作，磨损平衡等问题让系统区解决，fatfs/pite fs/fat32
3.2 easy flash/log:开源嵌入式flash的操作
3.3 FMM:flash media mange
3.4 日志文件系统：syslog 等，前提是存储的数据类型属于日志型.Cramfs（最小存储）、JFFS2(速度慢）、YAFFS2(专门为NAND Flash设计)是3种性能优越，专用于嵌入式系统的文件系统
四flash的关键问题：修改数据必须先读到内存修改后，先擦除flash的元数据再写进去比较麻烦；存储的数据位置要有确定性，但如果反复修改则物理存储的擦写寿命大为缩短；上电后的当前存储位置确定问题。
1 索引区+数据区：
2 通过有效数据记录标志+搜索算法确定存储位置。读写都要在上电开始搜索一下开始位置，然后在关机断点之前都是通过内存变量定位存储的当前位置。