Hi3518E的裸板烧写fastboot是不能像HI3531那样，能够通过FB直接烧写。遵循ARM9的烧写流程。当中一般u-boot的烧写流程可分为几类：第一:通过编程器芯片直接烧写；第二通过RVDS来烧写（海思官方原版的方式）；第三通过j-link烧写。这三种方式中，前两种都是非常麻烦的事情，须要编程支持比較贵。另外一种价格就更加不菲。第三种方式是一般嵌入式project师能想到也非常easy能得到的方式。以下介绍j-link烧写流程，以下演示芯片为海思的HI3518E芯片。
第一、连接j-link打印相应的j-link信息。假设连接成功打印例如以下信息：
第二、初始化内存，这里须要内存初始化脚本。以下是我实现的HI3518E的内存初始化脚本。所有拷贝后黏贴在j-link commander栏中运行后的结果例如以下：
w4 0x20050014 0x0fff8000 w4 0x20030000 0x11000000 w4 0x20030004 0x0068306E W4 0x20030008 0x12000000 W4 0x2003000c 0x007C2063 W4 0x20030010 0x19000000 W4 0x20030014 0x00682064 W4 0x20030020 0x1B000000 W4 0x20030024 0x007C40E1 W4 0x20030028 0x00000010 Sleep 1000 mem32 0x200300e8 1 Sleep 1000 W4 0x10000004 0xaaa W4 0x20050000 0x214 Sleep 1000 mem32 0x20050000 1 Sleep 1000 Sleep 1000 W4 0x2011001c 0x80000500 W4 0x20110020 0x784 W4 0x20110058 0x6330a000 W4 0x2011002c 0x22 W4 0x20110040 0x80000000 W4 0x20110050 0x33440d0a W4 0x20110054 0xff635616 W4 0x2011005c 0xffdff0f2 W4 0x201100ac 0x3000001 W4 0x201100f4 0x1 W4 0x20110004 0x0 Sleep 1000 W4 0x20120404 0x80000000 Sleep 2000 W4 0x20120430 0x2 W4 0x20120408 0x01842202 W4 0x20120418 0x220055 W4 0x2012041c 0x5053882 W4 0x20120420 0x3233881 W4 0x2012042c 0xf200001e W4 0x20120434 0x3092668E W4 0x20120438 0x00400098 W4 0x2012043c 0x1001aa00 W4 0x20120584 0x4b W4 0x20120440 0x0a63 W4 0x20120444 0x4 W4 0x20120448 0x0 W4 0x2012044C 0x0 W4 0x201205c0 0xe81 W4 0x20120600 0xe81 W4 0x20120404 0xff Sleep 2000 W4 0x20110058 0x6330a031 W4 0x20120408 0x01842200 loadbin d:u-boot-200MHZ.bin 0x82000000 setpc 0x82000000 go
运行结果：
第四步、运行go命令后在securCRT上看到的结果为：
第五步，进入u-boot后，以下就可使用sf命令对Flash进行烧写了。这样就全然启动了。假设有什么问题能够给我留言。一般烧写都没有问题。