1、SRAM存储单元的不足
晶体管过多
存储密度低
功耗大
2、DRAM存储单元的基本结构
解决SRAM不足采取的方法：
去掉两个负载管T3、T4
提升存储密度
降低功耗
降低成本
利用栅极分布电容缓冲电荷
增加电路协同存储单元工作
3、DRAM存储单元的工作原理
写操作
Y地址选通
T7、T8管导通
I/O端数据写入到位线
X地址选通
T5、T6管导通
位线与C2、C1相连
读操作：
给出预充信号
T9、T10导通
充电电压给CD充电（充满）
撤除预充信号
X地址选通
T5、T6管导通
右CD通过C1放电
左CD给C2充电
Y地址选通
T7、T8管导通
左CD与右CD间形成放电电流
读过程比写复杂、速度慢
保持操作：
X地址选通信号撤销
Y地址选通信号撤销
栅极电容容量有限，可持续的时间很短。
刷新操作：
给出预充信号
T9、T10导通
充电电压给左右CD充电
撤除预充信号
X地址选通
T5、T6管导通
右CD通过C1放电
左CD给C2充电
3、DRAM存储单元的刷新
刷新周期：两次刷新之间的时间间隔
双译码结构的DRAM刷新按行进行，需要知道DRAM芯片存储矩阵的行数
刷新地址由刷新地址计数器给出。
5、DRAM与SRAM的对比
6、其他结构的DRAM存储单元
进一步提高存储密度
裁剪冗余电路
核心是电容