（3）
列地址选择(CAS#): 选择器件内感兴趣的地址列
行地址选择(RAS#): 选择设备中感兴趣的地址行。
（4）（precharge）预充电
DRAM读取具有破坏性，也就是说，在读操作中会破坏内存单元行中的数据。因此，必需在该行上的读或写操作结束时，把行数据写回到
同一行中。这一操作称为预充电，是行上的最后一项操作。必须完成这一操作之后，才能访问新的行，这一操作称为关闭打开的行。
（5）Activate (激活)命令
向SDRAM发送一个行地址，打开内存的一个行(页面)要求 Precharge(预充电)命令，关闭该行，然后才能打开另一行
DRAM的一个行称为内存页面，一旦打开行，您可以访问该行中多个顺序的或不同的列地址。这提高了内存访
问速度，降低了内存时延，因为在访问同一个内存页面中的内存单元时，其不必把行地址重新发送给DRAM。
结果，行地址是计算机的高阶地址位，列地址是低阶地址位。由于行地址和列地址在不同的时间发送，因此行
地址和列地址复用到相同的 DRAM 针脚上，以降低封装针脚数量、成本和尺寸。
（6）Auto Precharge(自动预充电)
打开自动预充电，在突发完成后会对行自动进行预充电。如果禁止自动预充电，在突发完成后行保持打开状态。
刷新：通过发送新的电脉冲，来对芯片重新充电。