CL (CAS latency)
CL是从读命令发出到有效数据到DDR端口的延时，以时钟为单位。下图分别表示CL = 3和CL = 4的两种情况，
如果读命令在第n个时钟周期发出，CL = m，则读取的数据在第n+m个时钟时有效。
我们以MICRON 1Gb DDR2 SDRAM 为例，
CL一般为3，4，5，6或者7个时钟，不同速度等级的DDR2支持的CL是不同的，如下图，速度等级为-187E的CL支持从3到7，而
速度等级为-25E的DDR2则只支持CL从3到6，速率等级为-3的DDR2支持CL人3到5。
CL的长度在寄存器中设置
tRC :同一个Bank之间激活命令的时间间隔被定义为tRC。 一个激活命令发送后，同一Bank中不同行的激活命令发送时必须要先关闭前一个激命令，
这个操作称为预充电（precharged）。
tRRD:不同Bank之间的激活命令时间间隔被称为tRRD。
tFAW:在tFAW时间间隔内不能发送超过4个激活（ACTIVATE）命令。在DDR2中8个Bank的芯片中有这一要求。
RL :从列地址发出到数据端口上有效的数据输出延时
RL = AL + CL
tCCD:CAS#-to-CAS#命令之间的时延。读命令之间的时间间隔。如果要输出数据连续读命令之间的间隔是BL/2 个周期，为什么是BL/2?
因为命令是单速率而数据是双速率，如果突发数据速率是8，那读（写）数据输出只需要4个时钟周期。
tRPRE：DQS读操作前同步，DQS为低电平，而DQS#为高电平
tRPST：DQS读操作后同步，DQS为低电平，而DQS#为高电平
tWTR :当WRITE命令之后跟随READ命令时，要满足tWTR的时间间隔要求
tWR:写突发之后一定要跟随一个PRECHARGE命令，时间间隔要求tWR.tWR的开始以数据突发最后为参考
tRCD :ACTIVATE-to-READ or WRITE delay
tRCD：在发送列读写命令时必须与前面的bank激活命令（行有效也在其中）有一个间隔，这个间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS 至CAS 延迟），可以理解为行选通周期。这是根据芯片存储阵列内部响应时间所需要的延迟，这个和芯片的工艺相关，是必然存在的一个延时。tRCD 是SDRAM 的一个重要硬件参数。
tRDC最终会以时钟的周期的方式体现，并向上取整数个时钟周期，其它时间参数也是如此，如对于266MHz时钟（tCK = 3.75ns）,指定tRCD(MIN) = 20ns,计算得到5.3个时钟，向上取整为6个时钟
这里Delay（延迟）和Latency（潜伏）本质是不同的：Delay是事情要在这个时间之后开始，而Latency是事情已经发生，但是还不够稳定需要一个稳定时间。
WL: WRITE command to first DQS transition写命令与第一个DQS上升沿之间的延迟。
tRP:单个BanK的PRECHARGE命令发出后，需要tRP时间段
tRPA: 所有BanK的PRECHARGE命令发出后，需要tRPA时间段
（8）AL(posted CAS additive latency )
这是一个间隔读的例子，先发送ACT命令，延时tRCD之后，再发送读命令，tRCD期间也是可以发送ACT命令，
但是两个ACT之间要有一定间隔是BL/2，本来ACT B2应该在ACT B1之后两个时钟周期间隔，但是tRCD
之后是RD，所以B2读出的数据与B1之间会有间隔这样会降低效率。
Post CAS就是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的。在PostCAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插
到RAS信号后面的一个时钟周期，但实际的CAS命令执行可以在附加延迟（Additive Latency，AL）后面。原来
的tRCD（RAS到CAS延迟）被AL所取代，且AL可以在DDR2的初始化时进行设置。由于CAS信号放在了RAS信
号后面一个时钟周期，因此别的bank激活命令（RAS）和CAS信号就不会产生冲突了。
这里我们就引出了AL这个概念：
附加延遲(AL, additive latency)是使用Post CAS技术时，总线上发出CAS信号（读写/命令）后到这个指令实际被执行的延时。
但是对于这个改进有两个地方值得注意的：
1、tRCD依然是存在的，这个是硬件的限制。而Post CAS技术改进的是命令的传输机制。我是这样理解的：Post CAS技术是对CAS信号指令提供一种芯片内部延时的机制，也可以理解为将CAS信号缓存AL时间后执行，这样不妨碍总线上的其他命令的发送。
2、Post CAS技术在单次的突发访问中是没有影响的，只有连续多次的突发访问才有性能的提升，但是对于内存操作一般不可能做单次的突发，就算程序这样做了硬件缓存机制也会做多次的突发。