stm32内部Flash的读写操作

stm32的产品都有内置Flash，而且不同系列的产品其内置Flash的大小不尽相同，结构上也有差异，本文将对stm32f07x，stm32f10x，stm32f40x的内置Flash结构，以及如何进行读写操作做一个介绍。

一、特性与构成

1.stm32f07x系列

 2、stm32f10x系列

　　 

　　

 　　

 　　

　　3、stm32f40x系列 

 　　

 

 二、对内部Flash的读写操作

　2.1　stm32不同系列的产品，内部Flash的特性与构成确实存在一定的差异，但是对于读写操作，步骤一致，比如要往内部flash写入数据，需要几个步骤：

　　①、解锁flash

　　②、擦除

　　③、写入数据

　　④、锁住flash

　　读取Flash的内容，只需要直接读取内存地址的数据即可。

注意：①如果要写入的地址内保存了一些重要的数据，不想丢失的话，应该在擦除之前先把数据读取到缓冲区里，再进行擦除和写入新的数据。在擦除页之后，如果写入的数据不够一页，可以连续写入。

②写入数据之前，应该计算好MCU程序占用的内存，因为MCU的程序也是保存在Flash里，如果写入的数据占用了MCU程序的内存，就会导致程序死掉。而计算MCU占用内存大小的方法可以将它生成为bin文件，从它的属性里可以知道它的大小。具体可以参考：https://www.cnblogs.com/xingboy/p/10818813.html；这里提供简单的操作介绍：

1、首先打开keil工程，点击，出现以下界面，选择User

 2、最下方的Run #1打上勾，后面文本框里输入：fromelf --bin --output ."SL@L.bin" "#L"，然后点击OK

　　 

 3、编译

4、到工程文件夹里找到这个bin文件，右击该文件，点击属性就可以查到这个文件的大小

 

 

 比如我这个bin文件是16KB+，那么我们从0x0800 0000开始算起，17KB的内存不要动，从17KB的位置开始写入数据就不会影响MCU的程序。需要注意的是，不同的MCU，其每一页的大小都不一样，如开篇提供的三种MCU的Flash构成表格，stm32f07x每一页是2KB，stm32f10x的每一页是1KB，stm32f40x没有页的概念，只有扇区的概念，且扇区的大小也不一定相同，有的是16KB，有的是64KB，有的是128KB。所以虽然读操作的步骤一样，但是编程的时候有些区别。这里以HAL为例：

stm32f07x系列：

/************************************************************************
*函数名称：void Flash_Write(uint32_t address,uint32_t *data,uint8_t size)
*函数功能：往内部Flash里写入数据
*函数形参：address:写入数据的起始地址，data:要写入的数据的源地址，size:大小
*函数返回值：无
*************************************************************************/    
void Flash_Write(uint32_t address,uint32_t data)
{
    uint32_t PageError = 0;
    if(HAL_FLASH_Unlock() != HAL_OK)    /*解锁Flash*/
    {
        printf("Unlock Flash Fail!
");
    }
    else
    {
        
        printf("Unlock Flash succeed!
");
    }
    
    FLASH_EraseInitTypeDef FLASH_EraseInit;
    FLASH_EraseInit.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    FLASH_EraseInit.PageAddress = address;
    FLASH_EraseInit.NbPages = 1;

    if(HAL_FLASHEx_Erase(&FLASH_EraseInit,&PageError) != HAL_OK)
    {
        printf("Erase Flash Fail!
");
    }
    else
    {
        printf("Erase Flash Succeed!
");
    }
    

    HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,address,data);

    
    HAL_FLASH_Lock();
}

其中：

//擦除结构体：
typedef struct
{
  uint32_t TypeErase;   /*!< TypeErase: Mass erase or page erase.
                             This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */

  uint32_t PageAddress; /*!< PageAdress: Initial FLASH page address to erase when mass erase is disabled
                             This parameter must be a number between Min_Data = FLASH_BASE and Max_Data = FLASH_BANK1_END */
  
  uint32_t NbPages;     /*!< NbPages: Number of pagess to be erased.
                             This parameter must be a value between Min_Data = 1 and Max_Data = (max number of pages - value of initial page)*/
                                                          
} FLASH_EraseInitTypeDef;
//擦除函数：
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
//Flash编程函数

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);
//锁住Flash
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void)；
TypeErase是擦除的类型，可以是FLASH_TYPEERASE_PAGES（页擦出）也可以是FLASH_TYPEERASE_MASSERASE（块擦除，可以把Main Flash主存储块全部擦除）；
PageAddress是页地址，就是数据要写入的地址，因为我的MCU程序占用16KB内存，那么我从17KB开始写入数据就是0x0800 0000 + (0x400 * 17) = 0x0800 4400；
NbPages擦除多少页；

擦除函数的最后一个形参是一个指针，指向一个变量，这个变量包含了擦除错误的情况下的配置信息（0xFFFFFFFF表示所有的页都被正确擦除）

Flash编程函数：第一个形参写入的方式：FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD（半字，一次写入16bit），FLASH_TYPEPROGRAM_WORD（字，一次写入32bit），FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD（双字，一次写入64bit）.
第二个形参，写入数据的起始地址，第三个形参是要写入的数据。
stm32f40x系列
uint32_t GetSector(uint32_t Address)
{
  uint32_t sector = 0;
  if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_0;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_1;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_2;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_3;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_4;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_5;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_6;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_7;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_8;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_9;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))
  {
    sector = FLASH_SECTOR_10;  
  }
  else
  {
    sector = FLASH_SECTOR_11;  
  }
  return sector;

}


uint32_t start_Add = 0x080E0000;
uint32_t end_Add = 0x080E0000;


//FLASH写入数据测试
uint32_t FlashWriteData(uint8_t *data,uint8_t len)
{
    uint32_t UserStartSector;
    uint32_t SectorError;
    uint32_t i = 0;
    FLASH_EraseInitTypeDef pEraseInit;
    /*解锁Flash*/
    HAL_FLASH_Unlock();
    /*清标志位*/
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | 
                          FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);
    UserStartSector = GetSector(start_Add);
    pEraseInit.TypeErase = TYPEERASE_SECTORS;
  pEraseInit.Sector = UserStartSector;
  pEraseInit.NbSectors = GetSector(end_Add)-UserStartSector+1 ;
  pEraseInit.VoltageRange = VOLTAGE_RANGE_3;
    
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&pEraseInit, &SectorError) != HAL_OK)
    {
     /* Error occurred while page erase */
        printf("Flash Erase failed!
");
        return (1);
    }
    printf("Flash Erase succeed!
");
    
    for(i = 0; i < len; i+= 4 )
    {
        if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, (uint32_t)(start_Add+i), *(uint32_t*)(data+i)) == HAL_OK)
        {
            /* Check the written value */
            if(*(uint32_t *)(data + i) != *(uint32_t*)(start_Add+i))
            {
                    /* Flash content doesn't match SRAM content */
                    return 2;
            }
        }
        else
        {
            printf("src data != flash data
");
            return 3;
        }    
    }
    HAL_FLASH_Lock(); //锁住Flash
    return HAL_OK;
}

2.2 读操作

　　
/***********************************************
*函数名称：uint32_t Flash_Read(uint32_t address)
*函数功能：从内部Flash里读出数据
*函数形参：address:要读出的数据的起始地址
*函数返回值：读取到的数据
************************************************/
uint32_t Flash_Read(uint32_t address)
{
    uint32_t retval;
    retval = *(uint16_t *)(address);
    printf("retval = %x
",retval);
    return retval;
}

总结：如果需要存储的数据并不是很多的时候，没必要外挂一个Flash去存储数据，完全可以充分利用内部Flash的。但是内部Flash对写操作的次数有限制，网上找到的数据是1万次，而读操作的次数就没有限制了。所以当数据量不大，不会频繁修改的时候，完全可以写到内部Flash。



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原文地址：https://www.cnblogs.com/young-dalong/p/13926674.html