dram，sram，sdram 及存储器分类

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sram vs dram：

静态随机访问存储器（Static Random-Access Memory, SRAM）是随机访问存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中电容会有漏电的现象，导致电位差不足而使记忆消失，因此除非电容经常周期性地充电，否则无法确保记忆长存。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，“静态”存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

当电力供应停止时，DRAM和SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

sdram：

同步动态随机存取內存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取內存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行流水线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一个更复杂的操作模式。

流水线意味着芯片可以在处理完之前的指令前，接受一个新的指令。在一个写入的流水线中，写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行，而不需要等待数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中，需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达，而这个等待的过程可以发出其它附加指令。这种延迟被称为等待时间(Latency)，在为计算机购买內存时是一个很重要的参数。

SDRAM在计算机中被广泛使用，从起初的SDRAM到之后一代的DDR(或称DDR1)，然后是DDR2和DDR3进入大众市场，预计在2014年在服务器开始使用DDR4，2017年投入消费市场。

存储器

计算机存储器（英语：Computer memory）是一种利用半导体技术做成的电子设备，用来存储数据。电子电路的数据是以二进制的方式存储，存储器的每一个存储单元称做记忆元。

计算机存储器可以根据存储能力与电源的关系可以分为以下两类：

易失性存储器

易失性存储器（Volatile memory)是指当电源供应中断后，存储器所存储的数据便会消失的存储器。主要有以下的类型：

随机访问存储器（RAM）
- 动态随机访问存储器，英文缩写写作DRAM，一般每个单元由一个晶体管和一个电容组成（后者在集成电路上可以用两个晶体管模拟）。特点是单元占用资源和空间小，速度比SRAM慢，需要刷新。一般计算机内存即由DRAM组成。在PC上，DRAM以内存条的方式出现，DRAM颗粒多为4位或8位位宽，而载有多个颗粒的单根内存条的位宽为64位。
- 静态随机存取存储器，英文缩写写作SRAM，一般每个单元由6个晶体管组成，但近来也出现由8个晶体管构成的SRAM单元。特点是速度快，但单元占用资源比DRAM多。一般CPU和GPU的缓存即由SRAM构成。

非易失性存储器

非易失性存储器（Non-volatile memory）是指即使电源供应中断，存储器所存储的数据并不会消失，重新供电后，就能够读取存储器中的数据。主要种类如下：

高山仰止，景行行止。虽不能至，然心向往之。