动态单管芯片的读写工作流程
1.动态单管芯片的集成度非常高，以至于连行列选择线都是公用的。译码驱动电路分时段分别传输行地址和列地址。
2.动态单管芯片的结构比较奇怪，行选择线是竖着排列的，列选择线是横着排列的，整个结构的中间还排列着一列读放大器。读放大器具有反向信号的作用，从左侧过来的信号都会反向，右侧列的信号不经过读放大器，所以信号不会反向。这就导致从放大器左侧读出的信号和从右侧读出的信号机制不太一样。那写的时候也不太一样？
3.这里还是避开了动态时序图的讲解。
动态RAM的刷新
在讲述刷新之前，我们先讨论下在刷新的知识点中一些基本概念。
1.时间一词和周期一词完全不一样
存储时间/存取时间和存储周期/存取周期，前后这两种概念不一样。我目前的理解中，存储和存取是等同的，这种等同体现在操作的时间上。存储是体现在单一的操作上，而存取则将两种操作全部包含了。
存储周期(存取周期):连续启动两次读或写操作的最短时间。
存储时间(存取时间):RAM完成一次数据存取所用的平均时间。
光看上面两个定义，我们完全不能够理解。列出操作的一个完整的流程，就可以看明白了。
以读操作为例:
要读取的存储单元地址--->地址寄存器--->地址译码器--->选中对应存储单元--->读取存储单元内容--->读取到数据寄存器--->时间间隔--->下一次读操作。
这里的流程就是存储器件的工作流程，也暴露出我对流程的不熟悉。CPU将地址信息通过地址线传送给存储器中的地址寄存器，存储器通过一系列操作，将CPU所需的信息读取出来。在上述的流程汇总，我们发现在这次读操作和下次读操作之间存在一个时间间隔。学到刷新的知识点，我们就可以理解这个时间间隔是什么，间隔可以是刷新时间。
到这个点，存储时间和存储周期就可以区分了。当数据读取到数据寄存器上时，存储时间就到了，而当下次读操作启动的时候，存储周期才结束。
时间和周期当然不一样，时间是完成这次操作就行了，不需要在乎下次操作。周期就不一样了，周期必须要看到下次操作启动，这样的话，周期里面就包括了时间间隔。
存储周期比存取时间要稍微长一些。