MOSFET 栅极电阻作用及其选型

IGBT驱动器中栅极电阻Rg的作用及选取方法

一、栅极电阻Rg的作用 1、消除栅极振荡   绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射(或栅源)极之间是容性结构,栅极回路的寄生电感又是不可避免的,如果没有栅极电阻,那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡,因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。 2、转移驱动器的功率损耗   电容电感都是无功元件,如果没有栅极电阻,驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上,使其温度上升很多。 3、调节功率开关器件的通断速度   栅极电阻小,开关器件通断快,开关损耗小;反之则慢,同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率大大提高,从而产生较大的干扰,严重的将使整个装置无法工作,因此必须统筹兼顾。

二、栅极电阻的选取 1、栅极电阻阻值的确定   各种不同的考虑下,栅极电阻的选取会有很大的差异。初试可如下选取:

IGBT额定电流(A)

50

100

200

300

600

800

1000

1500

Rg阻值范围(Ω)

10~20

5.6~10

3.9~7.5

3~5.6

1.6~3

1.3~2.2

1~2

0.8~1.5

不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定要求,可在其参数手册的推荐值附近调试。
2、栅极电阻功率的确定   栅极电阻的功率由IGBT栅极驱动的功率决定,一般来说栅极电阻的总功率应至少是栅极驱动功率的2倍。

IGBT栅极驱动功率 P=FUQ,其中: F 为工作频率; U 为驱动输出电压的峰峰值; Q 为栅极电荷,可参考IGBT模块参数手册。 例如,常见IGBT驱动器(如TX-KA101)输出正电压15V,负电压-9V,则U=24V, 假设 F=10KHz,Q=2.8uC 可计算出 P=0.67w ,栅极电阻应选取2W电阻,或2个1W电阻并联。

三、设置栅极电阻的其他注意事项 1、尽量减小栅极回路的电感阻抗,具体的措施有: a) 驱动器靠近IGBT减小引线长度; b) 驱动的栅射极引线绞合,并且不要用过粗的线; c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近; d) 栅极电阻使用无感电阻; e) 如果是有感电阻,可以用几个并联以减小电感。
2、IGBT 开通和关断选取不同的栅极电阻   通常为达到更好的驱动效果,IGBT开通和关断可以采取不同的驱动速度,分别选取 Rgon和Rgoff(也称 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。   IGBT驱动器有些是开通和关断分别输出控制,如落木源TX-KA101TX-KA102等,只要分别接上Rgon和Rgoff就可以了。   有些驱动器只有一个输出端,如落木源TX-K841LTX-KA962F,这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网络,用以调节2个方向的驱动速度。 3、在IGBT的栅射极间接上Rge=10-100K 电阻,防止在未接驱动引线的情况下,偶然加主电高压,通过米勒电容烧毁IGBT。落木源驱动板常见型号上(如:TX-DA962DxTX-DA102Dx)已经有Rge了,但考虑到上述因素,用户最好再在IGBT的栅射极或MOSFET栅源间加装Rge。

本人,擅长MATLAB/SIMULINK软件,有十多年的经验,做过大量的项目以及课题;涵盖控制辨识,金融,机电液,图像处理识别,数据处理可视化,数字信号处理等领域。我的博客也包含大量的硬件设计方面的积累。所以如果有相关方面的需求,可以直接联系我。联系方式:Promath(QQ:2210310461)
原文地址:https://www.cnblogs.com/tongji-wu/p/3428257.html