TX2440A与TQ2440A开发板使用核心板完全相同
有过51单片基础的同学应该都会看懂下图，先看下图，对实验板存储器分布有一个整体印象：
s3c2440存储器概述：
1、S3C2440A的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号
2、27位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等
3、总共有8个存储器bank（bank0—bank7）
bank0---bank5为固定128MB
bank6和bank7的容量可编程改变，可以是2、4、8、16、32、64、128MB
最大共1GB
4、bank0可以作为引导ROM
其数据线宽只能是16位和32位，其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位
5、7个固定存储器bank(bank0-bank6)起始地址
bank7的开始地址与bank6的结束地址相连接，但是二者的容量必须相等
6、所有存储器bank的访问周期都是可编程的
7、支持SDRAM的自刷新和掉电模式
8、支持大小端（软件选择）
NANDFLASH启动： OM1=0 OM0=0
NORFLASH启动： OM1=0 OM0=1
开发板硬件：
TQ2440A开发板使用的SDRAM：
型号：K4S561632（两片）
大小：
4M * 16bit * 4banks * 2片= 512 bit = 64M 字节
数据宽度：32 bit
连接在BANK6上，片选信号nGCS6
地址范围：0x3000_0000—0x33FF_FFFF
有四个逻辑BANK（L-BANK）
由BA1、BA0选择
行地址数：13
列地址数：9
SDRAM存储区分布：
0x3000_0000~0x3100_0000程序代码区、文字常量区
0x33ff_0000~0x33ff_4800堆区
0x33ff_4800~0x33ff_8000栈区
0x33ff_ff00~0x3400_0000偏移中断向量表
SDRAM配置寄存器：
NOR FLASH (EN29LV160AB):
大小：2M
数据宽度：16bit
连接在BANK0上，片选信号nGCS0
地址范围：0x0000_0000---0x0020_0000
特点：
线性寻址
可直接按地址进行读写操作
写操作之前需进行擦除操作
写入、擦除速度较慢，读取速度较快，单位密度低、成本较高
NAND FLASH(K9F2G08)
大小：256M * 8Bit
数据宽度：8位
地址范围：有专门的时序控制总线，不占用系统总线资源
特点：
非线性寻址
读操作，一次必须读一个扇区（512字节）
写操作，可按指定地址直接写入
写之前必须进行擦除操作
单位密度高、成本低、擦除速度快
存储空间组织：（256M＋8M）×8bit
数据空间： 2planes×1kblocks×64pages×2048Byte
寄存器空间： 2planes×1kblocks×64pages×64Byte
自动编程和擦除
页编程：（2048＋64）Byte
块擦除：（128K＋4K）Byte
2112Byte 页读取操作
NAND FLASH 启动方式：
1、2440内部有一个叫做“起步石（Steppingstone）” 的 SRAM缓冲器
2、系统启动时Nand flash存储器的前面4K字节被自动拷贝到Steppingstone中
3、Steppingstone被映射到nGCS0对应的BANK0存储空间
4、CPU在Steppingstone的4-KB内部缓冲器中开始执行引导代码
5、引导代码执行完毕后，自动跳转到SDRAM执行
管脚配置：
D[7:0] : 数据/命令/地址/的输入/输出口（与数据总线共享）
CLE : 命令锁存使能 (输出)
ALE : 地址锁存使能（输出）
nFCE : NAND Flash 片选使能（输出）
nFRE : NAND Flash 读使能 (输出)
nFWE : NAND Flash 写使能 (输出)
R/nB : NAND Flash 准备好/繁忙（输入）
控制寄存器：
NAND FLASH 操作步骤：
1、通过NFCONF寄存器配置NandFlash；
2、写NandFlash命令到NFCMMD寄存器；
3、写NandFlash地址到NFADDR寄存器；
4、写数据到NFDATA，或从NFDATA读数据；
5、在读写数据时，通过NFSTAT寄存器来获得Nand flash的状态信息。应该在读操作前或写入之后检查R/nB信号（准备好/忙信号）
6、在读写操作后要查询校验错误代码，对错误进行纠正
命令字：
寻址：
对于K9F1208(64M)
Block Address 块地址 A[25:14]
Page Address 页地址 A[13:9]
Column Address 列地址 A[7:0]
A8是halfpage pointer
被读命令00h设为低电平 访问A区（0～255byte）
被读命令01h设为高电平 访问B区（256～511byte）
50h访问C区（512～527byte）
地址传送顺序是：列地址，页地址，块地址