OCP over current protection 过流保护
OLP over load protection 过载保护
OVP over voltage protection 过压保护
OTP over temperature protection 过温保护
ESD eletro-static discharge 静电释放
UVLO under voltage lock out 欠压闭锁
PFC power factor correcion 功率因数校正
burst mode 跳周期模式 一般在空载下，启动几个周期，然后关闭几个周期，以减少空载待机功耗。
hiccup mode 打嗝模式，异常状态下的反复重启
Hiccup-mode is a method of operation in a power supply whose purpose is to protect the power supply from being damaged during an over-current fault condition. It also enables the power supply to restart when the fault is removed.
source current 拉电流 输出端向外电路流出的负载电流
sink current 灌电流 从外电路流入输出端的负载电流
quiescent current 静态电流
RCD residual current devices 剩余电流动作保护器
MOSFET栅极与源极间电阻
一、为场效应管提供偏置电压；二、起到泻放电阻的作用——保护栅极G-源极S；第一个作用好理解，这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S：场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极；这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用。
MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高，绝缘层很薄，栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管，在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管，所以要在MOS管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管栅极不被击穿。MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷，不让电荷积累。总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用。