外部扩展接口应用之SRAM

void main(void)
{
    unsigned char temp;
    InitSysCtrl();  // 系统初始化子程序，在DSP28_sysctrl.c中
    Init_XINTF();
    Test_RAM();
    Write_RAM(0x05,18);
    temp=Read_RAM(0x05);
    while(1);   
} 

这里来看一下Init_XINTF();

void Init_XINTF(void)
{
    EALLOW;                
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRLEAD=2;    //写操作建立时间
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDLEAD=2;    //读操作建立时间
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRACTIVE=3;    //写操作有效时间    
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDACTIVE=2;    //读操作有效时间
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XRDTRAIL=2;    //读操作保护时间
    XintfRegs.XTIMING6.bit.XWRTRAIL=2;    //写操作保护时间
    XintfRegs.XINTCNF2.bit.WRBUFF=3;    //设置写缓冲深度
    EDIS;
}

之后是Test_RAM();

void Test_RAM(void)
{
    unsigned int i,temp=0x1000,w_data=0,err=0,r_data;//数据地址
    for(i=0;i<20000;i++)
    {
        Write_RAM(temp++,w_data++);
    }
    temp=0x1000;
    w_data=0;
    for(i=0;i<20000;i++)
    {
        r_data=Read_RAM(temp++);
        if(r_data!=w_data)
            err=err+1;
        w_data++;
    }
} 

void Write_RAM(unsigned int Adr,unsigned int Data)
{
    unsigned int *pointer;
    pointer = (unsigned int*)(0x100000 | Adr);
    *pointer=Data;
}

unsigned int Read_RAM(unsigned int Adr)
{
    unsigned int *pointer;
    pointer = (unsigned int*)(0x100000 | Adr);
    return(*pointer);
} 

void Test_RAM(void)
{
    unsigned int i,temp=0x1000,w_data=0,err=0,r_data;//数据地址
    for(i=0;i<20000;i++)
    {
        Write_RAM(temp++,w_data++);
    }
    temp=0x1000;
    w_data=0;
    for(i=0;i<20000;i++)
    {
        r_data=Read_RAM(temp++);
        if(r_data!=w_data)
            err=err+1;
        w_data++;
    }
} 

总的来说，对于XINTF外部扩展接口的设置只需要看器件的特性把建立，跟踪和保持设置好之后就可以开始写应用程序了。

本节是进行RAM的读写。对于RAM的读写操作需要注意两点：

1、把地址搞清楚，搞清楚应该在哪个地址写值和读值。

2、对内存的操作都是用指针进行的。