嵌入式芯片的存储器映射和存储器重映射

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1. 引言

很多嵌入式芯片都集成了多种存储器(RAM、ROM、Flash、……),这些存储器的介质、工艺、容量、价格、读写速度和读写方式都各不相同,嵌入式系 统设计需根据应用需求巧妙地规划和利用这些存储器,使得存储系统既满足应用对容量和速度的需求,又有较强的价格竞争优势。

本文所讲的存储器映射就是对各种存储器的大小和地址分布的规划。存储器重映射就是为了快速响应中断或者快速完成某个任务,将同一地址段映射到不同速度的两个存储块,然后将低速存储块中的代码段复制到高速存储块中,对低速存储块的访问将被重映射为对高速存储块的访问。

2. 存储器映射(Memory Mapping)

对于具体的某款嵌入式芯片,它包含的各种存储器的大小、地址分布都是确定的。存储器映射(Memory Mapping)就是指(物理)地址到存储单元的一一对应(注意,本文中所讲的存储器映射不是指虚拟地址到物理地址的映射。更确切地讲,本文所讲的存储器映射是存储布局(Memory Layout))。同一类型的存储器称为一个存储块(Memory Block),也有的地方称为一个存储区域(Memory Area,Memory Region),嵌入式系统设计者通常会为一个存储块分配一段连续的物理地址。多种存储器按某种方式排列,形成整个存储空间。

存储器映射可以理解为这样一个函数:输入是地址总线上的地址编码,输出是被寻址单元中(或数据总线上)的数据。该函数是一个逻辑概念,计算机系统上电复位 后才建立起这种映射,当计算机系统掉电后,这个函数就不复存在,只剩下计算机系统中实现这个函数的物理基础——电路连接。也可以这样认为:存储器映射是计 算机系统上电复位时的预备动作,是一个将CPU所拥有的地址编码资源向系统内各个物理存储器块分配的自动过程。

3. 存储器重映射(Memory Remapping)

3.1 为什么需要存储器重映射

目前很多嵌入式系统中的Flash分为Code Flash和Data Flash。Code Flash存放可以运行的程序代码,Data Flash存放应用数据。Code Flash通常被映射到0地址,系统上电复位后就从0地址开始执行。通常中断向量表就位于0地址的起始位置,系统上电复位后执行的第一条指令就是复位中断的跳转指令。

由于中断向量表位于Code Flash中,Code Flash的读取速度比RAM慢,为了快速响应中断,就将RAM重映射到0地址,然后将中断向量表复制到RAM的起始位置。再发生中断时,访问Code Flash中的中断向量表,将被重映射为访问RAM中的中断向量表。

因此,存储器重映射就是为了快速响应中断或者快速完成某个任务,将同一地址段映射到不同速度的两个存储块,然后将低速存储块中的代码段复制到高速存储块中,对低速存储块的访问将被重映射为对高速存储块的访问。

3.2 深入理解存储器重映射

下面以中断向量表的重映射为例,分析存储器重映射的机制。先假设以下情景:

(1)       中断向量表由8条跳转指令组成,共32字节;

(2)       Code Flash从0地址起始,中断向量表位于Code Flash的起始位置(0x00000000 ~ 0x0000001F);

(3)       RAM从非0地址(假设为0x40000000)起始;

(4)       需要将Code Flash中的中断向量表重映射到RAM的起始位置,也就是将0x00000000 ~ 0x0000001F重映射到0x40000000 ~ 0x4000001F。

图1描述了这种情景下的存储器重映射过程:

 

嵌入式芯片的存储器映射和存储器重映射

图1 中断向量表重映射

(1)       设置重映射控制寄存器:通常要设置重映射存储块的起始地址和末地址(或大小),将0x00000000 ~ 0x0000001F地址段重映射到0x40000000 ~ 0x4000001F;

(2)       复制被重映射的存储块中的内容:将Code Flash中的中断向量表复制到RAM中;

(3)       重映射后寻址:完成中断向量表重映射之后,再发生中断时,访问中断向量表将被重映射为访问RAM中的中断向量表。

中断向量表由Code Flash被重映射到RAM之后,发生中断时就可快速响应中断。如果Code Flash读取速度足够快,中断响应速度要求不是特别苛刻,可以不做这种重映射。

存储器映射是在复位之前由CPU自动完成的,存储器重映射是在复位之后由系统程序完成的。通常的顺序是:上电->存储器映射->复位->存储器重映射->系统初始化->启动OS。

4. 高性能智能卡HD-SIM的存储器映射和存储器重映射

高性能智能卡HD-SIM是Spansion提供的一款ARM芯片,包含RAM、NOR Flash、NAND Flash多种存储器。图2描述了HD-SIM存储器的映射和重映射。(注意:NAND Flash不在此存储系统中,它独立为另一存储系统)

 HD-SIM将24KB的SRAM 1重映射到0x00000 ~ 0x05FFF地址段,这是通过设置重映射控制寄存器完成的。但没有把Code Flash低端24KB内容全部复制到SRAM 1中,而只复制了中断向量表。

5. 参考文献

(1) 什么是REMAP? Double Z的博客。

(2)LPC2000的Boot和Remap解析,阿拉丁(king)的博客。

(3)ARM芯片的地址重映射,Winday的博客。

(4)S31QL512P HD-SIM Datasheet,Spansion

原文地址:https://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3329021.html