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0.NAND的操作管理方式
NAND FLASH的管理方式：以三星FLASH为例，一片Nand flash为一个设备(device)，1 (Device) = xxxx (Blocks)，1 (Block) = xxxx (Pages)，1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes，除OOB第六字节外，通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码)。
关于OOB区，是每个Page都有的。Page大小是512字节的NAND每页分配16字节的OOB；如果NAND物理上是2K的Page，则每个Page分配64字节的OOB。如下图：
以HYNIX为例，图中黑体的是实际探测到的NAND，是个2G bit（256M）的NAND。PgSize是2K字节，PgsPBlk表示每个BLOCK包含64页，那么每个BLOCK占用的字节数是 64X2K=128K字节；该NAND包好2048个BLOCK，那么可以算出NAND占用的字节数是2048X128K=256M，与实际相符。需要注 意的是SprSize就是OOB大小，也恰好是2K页所用的64字节。
1.为什么会出现坏块
由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory
Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是：当编程/擦除这个块时，会造成Page
Program和Block Erase操作时的错误，相应地反映到Status Register的相应位。
2.坏块的分类
总体上，坏块可以分为两大类：（1）固有坏块：这是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂都会在出厂时都会将每个坏块第一个page的spare
area的第6个byte标记为不等于0xff的 值。（2）使用坏块：这是在NAND Flash使用过程中，如果Block Erase或者Page
Program错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致，将新发现的坏块的第一个page的
spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。
3.坏块管理
根据上面的这些叙述，可以了解NAND Flash出厂时在spare
area中已经反映出了坏块信息，因此， 如果在擦除一个块之前，一定要先check一下第一页的spare
area的第6个byte是否是0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除，以免将坏块标记擦掉。
当然，这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”，因为在芯片操作过程中可能由于
电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是，为了数据的可靠性及软件设计的简单化，还是需要遵照这个标准。
可以用BBT：bad block table，即坏块表来进行管理。各家对nand的坏块管理方法都有差异。比如专门用nand做存储的，会把bbt放到block0，因为第0块一定是好 的块。但是如果nand本身被用来boot，那么第0块就要存放程序，不能放bbt了。 有的把bbt放到最后一块，当然，这一块坚决不能为坏块。 bbt的大小跟nand大小有关，nand越大，需要的bbt也就越大。
需要注意的是：OOB是每个页都有的数据，里面存的有ECC（当然不仅仅）；而BBT是一个FLASH才有一个；针对每个BLOCK的坏块识别则是该块第一页spare area的第六个字节。
4.坏块纠正
ECC： NAND
Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出
错。一般使用一种比较专用的校验——ECC。ECC能纠正单比特错误和检测双比特错误，而且计算速度很快，但对1比特以上的错误无法纠正，对2比特以上的
错误不保证能检测。
ECC一般每256字节原始数据生成3字节ECC校验数据，这三字节共24比特分成两部分：6比特的列校验和16比特的行校验，多余的两个比特置1。（512生成两组ECC，共6字节）
当往NAND Flash的page中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为原ECC校验和，保存到PAGE的OOB
（out-
of-band）数据区中。其位置就是eccpos[]。校验的时候，根据上述ECC生成原理不难推断：将从OOB区中读出的原ECC校验和新ECC校验
和按位异或，若结果为0，则表示不存在错（或是出现了ECC无法检测的错误）；若3个字节异或结果中存在11个比特位为1，表示存在一个比特错误，且可纠
正；若3个字节异或结果中只存在1个比特位为1，表示OOB区出错；其他情况均表示出现了无法纠正的错误。
5.补充
（1）需要对前面由于Page
Program错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把块里其他好的
面的内容备份到另外一个空的好块里面，然后，把这个块标记为坏块。当然，这可能会犯“错杀”之误，一个补救的办法，就是在进行完块备份之后，再将这个坏块
擦除一遍，如果Block Erase发生错误，那就证明这个块是个真正的坏块，那就毫不犹豫地将它打个“戳”吧！
（2）可能有人会问，为什么要使用每个块第一页的spare area的第六个byte作为坏块标记。这是NAND Flash生产商的默认约定，你可以看到Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。
（3）为什么好块用0xff来标记？因为Nand Flash的擦除即是将相应块的位全部变为1，写操作时只能把芯片每一位(bit)只能从1变为0，而不能从0变为1。0XFF这个值就是标识擦除成功，是好块。
bbt坏块管理 日月 发表于 - 2010-3-2 9:59:00 2 推荐 前面看到在nand_scan（）函数的最后将会跳至scan_bbt（）函数，这个函数在nand_scan里面有定义： 2415 if (!this->scan_bbt) 2416 this->scan_bbt = nand_default_bbt; nand_default_bbt（）位于Nand_bbt.c文件中。 1047 /** * nand_default_bbt - [NAND Interface] Select a default bad block table for the device * @mtd: MTD device structure * * This selects the default bad block table * support for the device and calls the nand_scan_bbt **/ int nand_default_bbt (struct mtd_info *mtd) { struct nand_chip *this = mtd->priv; 这个函数的作用是建立默认的坏块表。 1059 /* Default for AG-AND. We must use a flash based * bad block table as the devices have factory marked * _good_ blocks. Erasing those blocks leads to loss * of the good / bad information, so we _must_ store * this information in a good / bad table during * startup */ if (this->options & NAND_IS_AND) { /* Use the default pattern deors */ if (!this->bbt_td) { this->bbt_td = &bbt_main_descr; this->bbt_md = &bbt_mirror_descr; } this->options |= NAND_USE_FLASH_BBT; return nand_scan_bbt (mtd, &agand_flashbased); } 如果Flash的类型是AG-AND（这种Flash类型比较特殊，既不是MLC又不是SLC，因此不去深究了，而且好像瑞萨要把它淘汰掉），需要使用默认的模式描述符，最后再进入nand_scan_bbt（）函数。 1078 /* Is a flash based bad block table requested ? */ if (this->options & NAND_USE_FLASH_BBT) { /* Use the default pattern deors */ if (!this->bbt_td) { this->bbt_td = &bbt_main_descr; this->bbt_md = &bbt_mirror_descr; } if (!this->badblock_pattern) { this->badblock_pattern = (mtd->oobblock > 512) ? &largepage_flashbased : &smallpage_flashbased; } } else { this->bbt_td = NULL; this->bbt_md = NULL; if (!this->badblock_pattern) { this->badblock_pattern = (mtd->oobblock > 512) ? &largepage_memorybased : &smallpage_memorybased; } } return nand_scan_bbt (mtd, this->badblock_pattern); 如果Flash芯片需要使用坏块表，对于1208芯片来说是使用smallpage_memorybased。 985 static struct nand_bbt_descr smallpage_memorybased = { .options = NAND_BBT_SCAN2NDPAGE, .offs = 5, .len = 1, .pattern = scan_ff_pattern }; 暂时没看到如何使用这些赋值，先放着。后面检测坏块时用得着。 1099 return nand_scan_bbt (mtd, this->badblock_pattern); 最后将badblock_pattern作为参数，调用nand_can_bbt函数。 844 /** * nand_scan_bbt - [NAND Interface] scan, find, read and maybe create bad block table(s) * @mtd: MTD device structure * @bd: deor for the good/bad block search pattern * * The checks, if a bad block table(s) is/are already * available. If not it scans the device for manufacturer * marked good / bad blocks and writes the bad block table(s) to * the selected place. * * The bad block table memory is allocated here. It must be freed * by calling the nand_free_bbt . * */ int nand_scan_bbt (struct mtd_info *mtd, struct nand_bbt_descr *bd) { 检测、寻找、读取甚至建立坏块表。函数检测是否已经存在一张坏块表，否则建立一张。坏块表的内存分配也在这个函数中。 860 struct nand_chip *this = mtd->priv; int len, res = 0; uint8_t *buf; struct nand_bbt_descr *td = this->bbt_td; struct nand_bbt_descr *md = this->bbt_md; len = mtd->size >> (this->bbt_erase_shift + 2); /* Allocate memory (2bit per block) */ this->bbt = kmalloc (len, GFP_KERNEL); if (!this->bbt) { printk (KERN_ERR "nand_scan_bbt: Out of memory/n"); return -ENOMEM; } /* Clear the memory bad block table */ memset (this->bbt, 0x00, len); 一些赋值、变量声明、内存分配，每个block分配2bit的空间。1208有4096个block，应该分配4096*2bit的空间。 877 /* If no primary table decriptor is given, scan the device * to build a memory based bad block table */ if (!td) { if ((res = nand_memory_bbt(mtd, bd))) { printk (KERN_ERR "nand_bbt: Can't scan flash and build the RAM-based BBT/n"); kfree (this->bbt); this->bbt = NULL; } return res; } 如果没有提供ptd，就扫描设备并建立一张。这里调用了nand_memory_bbt（）这个内联函数。 653 /** * nand_memory_bbt - [GENERIC] create a memory based bad block table * @mtd: MTD device structure * @bd: deor for the good/bad block search pattern * * The creates a memory based bbt by scanning the device * for manufacturer / software marked good / bad blocks */ static inline int nand_memory_bbt (struct mtd_info *mtd, struct nand_bbt_descr *bd) { struct nand_chip *this = mtd->priv; bd->options &= ~NAND_BBT_SCANEMPTY; return create_bbt (mtd, this->data_buf, bd, -1); } 函数的作用是建立一张基于memory的坏块表。 将操作符的NAND_BBT_SCANEMPTY清除，并继续调用creat_bbt（）函数。 271 /** * create_bbt - [GENERIC] Create a bad block table by scanning the device * @mtd: MTD device structure * @buf: temporary buffer * @bd: deor for the good/bad block search pattern * @chip: create the table for a specific chip, -1 read all chips. * Applies only if NAND_BBT_PERCHIP option is set * * Create a bad block table by scanning the device * for the given good/bad block identify pattern */ static int create_bbt (struct mtd_info *mtd, uint8_t *buf, struct nand_bbt_descr *bd, int chip) { 真正的建立坏块表函数。chip参数是-1表示读取所有的芯片。 284 struct nand_chip *this = mtd->priv; int i, j, numblocks, len, scanlen; int startblock; loff_t from; size_t readlen, ooblen; printk (KERN_INFO "Scanning device for bad blocks/n"); 一些变量声明，开机时那句话就是在这儿打印出来的。 292 if (bd->options & NAND_BBT_SCANALLPAGES) len = 1 << (this->bbt_erase_shift - this->page_shift); else { if (bd->options & NAND_BBT_SCAN2NDPAGE) len = 2; else len = 1; } 在前面我们定义了smallpage_memorybased这个结构体，现在里面NAND_BBT_SCANALLPAGES的终于用上了，对于1208芯片来说，len=2。 304 if (!(bd->options & NAND_BBT_SCANEMPTY)) { /* We need only read few bytes from the OOB area */ scanlen = ooblen = 0; readlen = bd->len; } else { /* Full page content should be read */ scanlen = mtd->oobblock + mtd->oobsize; readlen = len * mtd->oobblock; ooblen = len * mtd->oobsize; } 前面已经将NAND_BBT_SCANEMPTY清除了，这里肯定执行else的内容。需要将一页内容都读取出来。 316 if (chip == -1) { /* Note that numblocks is 2 * (real numblocks) here, see i+=2 below as it * makes shifting and masking less painful */ numblocks = mtd->size >> (this->bbt_erase_shift - 1); startblock = 0; from = 0; } else { if (chip >= this->numchips) { printk (KERN_WARNING "create_bbt(): chipnr (%d) > available chips (%d)/n", chip + 1, this->numchips); return -EINVAL; } numblocks = this->chipsize >> (this->bbt_erase_shift - 1); startblock = chip * numblocks; numblocks += startblock; from = startblock << (this->bbt_erase_shift - 1); } 前面提到chip为-1，实际上我们只有一颗芯片，numblocks这儿是4096*2。 335 for (i = startblock; i < numblocks;) { int ret; if (bd->options & NAND_BBT_SCANEMPTY) if ((ret = nand_read_raw (mtd, buf, from, readlen, ooblen))) return ret; for (j = 0; j < len; j++) { if (!(bd->options & NAND_BBT_SCANEMPTY)) { size_t retlen; /* Read the full oob until read_oob is fixed to * handle single byte reads for 16 bit buswidth */ ret = mtd->read_oob(mtd, from + j * mtd->oobblock, mtd->oobsize, &retlen, buf); if (ret) return ret; if (check_short_pattern (buf, bd)) { this->bbt[i >> 3] |= 0x03 << (i & 0x6); printk (KERN_WARNING "Bad eraseblock %d at 0x%08x/n", i >> 1, (unsigned int) from); break; } } else { if (check_pattern (&buf[j * scanlen], scanlen, mtd->oobblock, bd)) { this->bbt[i >> 3] |= 0x03 << (i & 0x6); printk (KERN_WARNING "Bad eraseblock %d at 0x%08x/n", i >> 1, (unsigned int) from); break; } } } i += 2; from += (1 << this->bbt_erase_shift); } return 0; 检测这4096个block，刚开始的nand_read_raw肯定不会执行。len是2，在j循环要循环2次。 每次循环真正要做的事情是下面的内容： ret = mtd->read_oob(mtd, from + j * mtd->oobblock, mtd->oobsize, &retlen, buf); read_oob（）函数在nand_scan（）里被指向nand_read_oob（），这个函数在Nand_base.c文件中，看来得回Nand_base.c看看了。 1397 /** * nand_read_oob - [MTD Interface] NAND read out-of-band * @mtd: MTD device structure * @from: offset to read from * @len: number of bytes to read * @retlen: pointer to variable to store the number of read bytes * @buf: the databuffer to put data * * NAND read out-of-band data from the spare area */ static int nand_read_oob (struct mtd_info *mtd, loff_t from, size_t len, size_t * retlen, u_char * buf) { 才发现oob全称是out-of-band, from是偏移量，len是读取的长度，retlen是存储指针。 1409 int i, col, page, chipnr; struct nand_chip *this = mtd->priv; int blockcheck = (1 << (this->phys_erase_shift - this->page_shift)) - 1; DEBUG (MTD_DEBUG_LEVEL3, "nand_read_oob: from = 0x%08x, len = %i/n", (unsigned int) from, (int) len); /* Shift to get page */ page = (int)(from >> this->page_shift); chipnr = (int)(from >> this->chip_shift); /* Mask to get column */ col = from & (mtd->oobsize - 1); /* Initialize return length value */ *retlen = 0; 一些初始化，blockcheck对于1208应该是（1<<(0xe-0x9)-1）=31。然后通过偏移量计算出要读取oob区的page，chipnr和col。 1425 /* Do not allow reads past end of device */ if ((from + len) > mtd->size) { DEBUG (MTD_DEBUG_LEVEL0, "nand_read_oob: Attempt read beyond end of device/n"); *retlen = 0; return -EINVAL; } /* Grab the lock and see if the device is available */ nand_get_device (this, mtd , FL_READING); /* Select the NAND device */ this->select_chip(mtd, chipnr); /* Send the read command */ this->cmdfunc (mtd, NAND_CMD_READOOB, col, page & this->pagemask); 不允许非法的读取，获取芯片控制权，发送读取OOB命令，这儿会调用具体硬件驱动中相关的Nand控制函数。 1442 /* * Read the data, if we read more than one page * oob data, let the device transfer the data ! */ i = 0; while (i < len) { int thislen = mtd->oobsize - col; thislen = min_t(int, thislen, len); this->read_buf(mtd, &buf[i], thislen); i += thislen; /* Read more ? */ if (i < len) { page++; col = 0; /* Check, if we cross a chip boundary */ if (!(page & this->pagemask)) { chipnr++; this->select_chip(mtd, -1); this->select_chip(mtd, chipnr); } /* Apply delay or wait for ready/busy pin * Do this before the AUTOINCR check, so no problems * arise if a chip which does auto increment * is marked as NOAUTOINCR by the board driver. */ if (!this->dev_ready) udelay (this->chip_delay); else nand_wait_ready(mtd); /* Check, if the chip supports auto page increment * or if we have hit a block boundary. */ if (!NAND_CANAUTOINCR(this) || !(page & blockcheck)) { /* For subsequent page reads set offset to 0 */ this->cmdfunc (mtd, NAND_CMD_READOOB, 0x0, page & this->pagemask); } } } /* Deselect and wake up anyone waiting on the device */ nand_release_device(mtd); /* Return happy */ *retlen = len; return 0; 开始读取数据，while循环只要获取到oob区大小的数据即可。注意，read_buf才是最底层的读写Nand的函数，在我们的驱动中根据参数可以实现读取528byte全部内容，或者16byte的oob区。 如果一次没读完，就要继续再读，根据我们实际使用经验好像没出现过这种问题。 最后Return Happy~回到Nand_bbt.c的creat_bbt（）函数，348行，好像都快忘记我们还没出creat_bbt（）函数呢，我再把他贴一遍吧： 346 /* Read the full oob until read_oob is fixed to * handle single byte reads for 16 bit buswidth */ ret = mtd->read_oob(mtd, from + j * mtd->oobblock, mtd->oobsize, &retlen, buf); if (ret) return ret; if (check_short_pattern (buf, bd)) { this->bbt[i >> 3] |= 0x03 << (i & 0x6); printk (KERN_WARNING "Bad eraseblock %d at 0x%08x/n", i >> 1, (unsigned int) from); break; } } else { if (check_pattern (&buf[j * scanlen], scanlen, mtd->oobblock, bd)) { this->bbt[i >> 3] |= 0x03 << (i & 0x6); printk (KERN_WARNING "Bad eraseblock %d at 0x%08x/n", i >> 1, (unsigned int) from); break; } } } i += 2; from += (1 << this->bbt_erase_shift); } return 0; } 刚刚如果不是Ruturn Happy，下面的352行就会返回错误了。接着会调用check_short_pattern（）这个函数。 113 /** * check_short_pattern - [GENERIC] check if a pattern is in the buffer * @buf: the buffer to search * @td: search pattern deor * * Check for a pattern at the given place. Used to search bad block * tables and good / bad block identifiers. Same as check_pattern, but * no optional empty check * */ static int check_short_pattern (uint8_t *buf, struct nand_bbt_descr *td) { int i; uint8_t *p = buf; /* Compare the pattern */ for (i = 0; i < td->len; i++) { if (p[td->offs + i] != td->pattern[i]) return -1; } return 0; } 检查读到的oob区是不是坏块就靠这个函数了。前面放了好久的struct nand_bbt_descr smallpage_memorybased终于用上了，挨个对比，有一个不一样直接返回-1，坏块就这样产生了。下面会将坏块的位置打印出来，并且将坏块记录在bbt表里面，在nand_scan_bbt（）函数的开始我们就为bbt申请了空间。 this->bbt[i >> 3] |= 0x03 << (i & 0x6); 为啥要右移3bit呢？首先i要右移1bit，因为前面乘以了2。由于没个block占用2bit的空间，一个char变量8bit，所以还再要右移2bit吧。 下面的check_pattern（）函数调用不到的。 依次检测完所有block，creat_bbt（）函数也顺利返回。 这样nand_memory_bbt（）函数也正确返回。 接着是nand_scan_bbt（）同样顺利结束。 最后nand_default_bbt（）完成。 整个nand_scan（）的工作终于完成咯，好长。
MTD的坏块管理(一)-快速了解MTD的坏块管理
由 于NAND Flash的现有工艺不能保证NAND的Memory
Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此在NAND芯片出厂的时候，厂家只能保证block
0不是坏块，对于其它block，则均有可能存在坏块，而且NAND芯片在使用的过程中也很容易产生坏块。因此，我们在读写NAND FLASH
的时候，需要检测坏块，同时还需在NAND驱动中加入坏块管理的功能。
NAND驱动在加载的时候，会调用nand_scan函数，对bad block table的搜寻，建立等操作就是在这个函数的第二部分，即nand_scan_tail函数中完成的。
在
nand_scan_tail函数中，会首先检查struct
nand_chip结构体中的options成员变量是否被赋上了NAND_SKIP_BBTSCAN，这个宏表示跳过扫描bbt。所以，只有当你的
driver中没有为options定义NAND_SKIP_BBTSCAN时，MTD才会继续与bbt相关工作，即调用struct
nand_chip中的scan_bbt函数指针所指向的函数，在MTD中，这个函数指针指向nand_default_bbt函数。
bbt
有两种存储
方式，一种是把bbt存储在NAND芯片中，另一种是把bbt存储在内存中。对于前者，好处是驱动加载更快，因为它只会在第一次加载NAND驱动时扫描整
个NAND芯片，然后在NAND芯片的某个block中建立bbt，坏处是需要至少消耗NAND芯片一个block的存储容量；而对于后者，好处是不会耗
用NAND芯片的容量，坏处是驱动加载稍慢，因为存储在内存中的bbt每次断电后都不会保存，所以在每次加载NAND驱动时，都会扫描整个NAND芯片，
以便建立bbt。
如果你系统中的NAND芯片容量不是太大的话，我建议还是把bbt存储在内存中比较好，因为根据本人的使用经验，对一块容量为2G bits的NAND芯片，分别采用这两种存储方式的驱动的加载速度相差不大，甚至几乎感觉不出来。
建立bbt后，以后在做擦除等操作时，就不用每次都去验证当前block是否是个坏块了，因为从bbt中就可以得到这个信息。另外，若在读写等操作时，发现产生了新的坏块，那么除了标志这个block是个坏块外，也还需更新bbt。
接下来，介绍一下MTD是如何查找或者建立bbt的。
1、MTD中与bbt相关的结构体
struct
nand_chip中的scan_bbt函数指针所指向的函数，即nand_default_bbt函数会首先检查struct
nand_chip中options成员变量，如果当前NAND芯片是AG-AND类型的，会强制把bbt存储在NAND芯片中，因为这种类型的NAND
芯片中含有厂家标注的“好块”信息，擦除这些block时会导致丢失坏块信息。
接着
nand_default_bbt函数会再次检查struct
nand_chip中options成员变量，根据它是否定义了NAND_USE_FLASH_BBT，而为struct
nand_chip中3个与bbt相关的结构体附上不同的值，然后再统一调用nand_scan_bbt函数，nand_scan_bbt函数会那3个结
构体的不同的值做不同的动作，或者把bbt存储在NAND芯片中，或者把bbt存储在内存中。
在struct nand_chip中与bbt相关的结构体如下：
struct nand_chip {
……
uint8_t *bbt
struct nand_bbt_descr *bbt_td;
struct nand_bbt_descr *bbt_md;
struct nand_bbt_descr *badblock_pattern;
……
};
bbt指向
一块在nand_default_bbt函数中分配的内存，若options中没有定义NAND_USE_FLASH_BBT，MTD就直接在bbt指向
的内存中建立bbt，否则就会先从NAND芯片中查找bbt是否存在，若存在，就把bbt的内容读出来并保存到bbt指向的内存中，若不存在，则在bbt
指向的内存中建立bbt，最后把它写入到NAND芯片中去。
bbt_td、bbt_md和badblock_pattern就是在nand_default_bbt函数中赋值的3个结构体。它们虽然是相同的结构体类型，但却有不同的作用和含义。
其
中bbt_td和bbt_md是主bbt和镜像bbt的描述符(镜像bbt主要用来对bbt的update和备份)，它们只在把bbt存储在NAND芯片
的情况下使用，用来从NAND芯片中查找bbt。若bbt存储在内存中，bbt_td和bbt_md将会被赋值为NULL。
badblock_pattern就是坏块信息的pattern，其中定义了坏块信息在oob中的存储位置，以及内容(即用什么值表示这个block是个坏块)。
通
常用1或2个字节来标志一个block是否为坏块，这1或2个字节就是坏块信息，如果这1或2个字节的内容是0xff，那就说明这个block是好的，否
则就是坏块。对于坏块信息在NAND芯片中的存储位置，small page(每页512 Byte)和big page(每页2048
Byte)的两种NAND芯片不尽相同。一般来说，small
page的NAND芯片，坏块信息存储在每个block的第一个page的oob的第六个字节中，而big
page的NAND芯片，坏块信息存储在每个block的第一个page的oob的第1和第2个字节中。
我
不能确定是否所有的NAND芯片都是如此布局，但应该绝大多数NAND芯片是这样的，不过，即使某种NAND芯片的坏块信息不是这样的存储方式也没关系，
因为我们可以在badblock_pattern中自己指定坏块信息的存储位置，以及用什么值来标志坏块(其实这个值表示的应该是“好块”，因为MTD会
把从oob中坏块信息存储位置读出的内容与这个值做比较，若相等，则表示是个“好块”，否则就是坏块)。
bbt_td、bbt_md和badblock_pattern的结构体类型定义如下：
struct nand_bbt_descr {
int options;
int pages[NAND_MAX_CHIPS];
int offs;
int veroffs;
uint8_t version[NAND_MAX_CHIPS];
int len;
int maxblocks;
int reserved_block_code;
uint8_t *pattern;
};
options：bad block table或者bad block的选项，可用的选择以及各选项具体表示什么含义，可以参考<linux/mtd/nand.h>。
pages：bbt
专用。在查找bbt的时候，若找到了bbt，就把bbt所在的page号保存在这个成员变量中。若没找到bbt，就会把新建立的bbt的保存位置赋值给
它。因为系统中可能会有多个NAND芯片，我们可以为每一片NAND芯片建立一个bbt，也可以只在其中一片NAND芯片中建立唯一的一个bbt，所以这
里的pages是个维数为NAND_MAX_CHIPS的数值，用来保存每一片NAND芯片的bbt位置。当然，若只建立了一个bbt，那么就只使用
pages[0]。
offs、len和pattern：MTD会从oob的offs中读出len长度的内容，然后与pattern指针指向的内容做比较，若相等，则表示找到了bbt，或者表示这个block是好的。
veroffs和version：bbt专用。MTD会从oob的veroffs中读出一个字节的内容，作为bbt的版本值保存在version中。
maxblocks：bbt专用。MTD在查找bbt的时候，不会查找NAND芯片中所有的block，而是最多查找maxblocks个block。
2、bbt存储在内存中时的工作流程
前文说过，不管bbt是存储在NAND芯片中，还是存储在内存中，nand_default_bbt函数都会调用nand_scan_bbt函数。
nand_scan_bbt
函数会判断bbt_td的值，若是NULL，则表示bbt存储在内存中，它就在调用nand_memory_bbt函数后返回。
nand_memory_bbt函数的主要工作就是在内存中建立bbt，其实就是调用了create_bbt函数。
create_bbt
函数的工作方式很简单，就是扫描NAND芯片所有的block，读取每个block中第一个page的oob内容，然后根据oob中的坏块信息建立起
bbt，可以参见上节关于struct nand_bbt_descr中的offs、len和pattern成员变量的解释。
3、bbt存储在NAND芯片时的工作流程
相对于把bbt存储在内存中，这种方式的工作流程稍显复杂一点。
nand_scan_bbt函数首先从NAND芯片中读取bbt的内容，它读取的方式分为两种：
其
一是调用read_abs_bbts函数直接从给定的page地址读取，那么这个page地址在什么时候指定呢？就是在你的NAND
driver中指定。前文说过，在struct
nand_chip结构体中有两个成员变量，分别是bbt_td和bbt_md，MTD为它们附上了default的值，但是你也可以根据你的需要为它们
附上你自己定义的值。假如你为bbt_td和bbt_md的options成员变量定义了NAND_BBT_ABSPAGE，同时又把你的bbt所在的
page地址保存在bbt_td和bbt_md的pages成员变量中，MTD就可以直接在这个page地址中读取bbt了。值得一提的是，在实际使用时
一般不这么干，因为你不能保证你保存bbt的那个block就永远不会坏，而且这样也不灵活；
其二是调用那个search_read_bbts函数试着在NAND芯片的maxblocks(请见上文关于struct nand_bbt_descr中maxblocks的说明)个block中查找bbt是否存在，若找到，就可以读取bbt了。
MTD
查找bbt的过程为：如果你在bbt_td和bbt_md的options 成员变量中定义了
NAND_BBT_LASTBLOCK，那么MTD就会从NAND芯片的最后一个block开始查找(在default情况下，MTD就是这么干的)，否
则就从第一个block开始查找。
与
查找oob中的坏块信息时类似，MTD会从所查找block的第一个page的oob中读取内容，然后与bbt_td或bbt_md中patter指向的
内容做比较，若相等，则表示找到了bbt，否则就继续查找下一个block。顺利的情况下，只需查找一个block中就可以找到bbt，否则MTD最多会
查找maxblocks个block。
若找到了bbt，就把该bbt所在的page地址保存到bbt_td或bbt_md的pages成员变量中，否则pages的值为-1。
如果系统中有多片NAND芯片，并且为每一片NAND芯片都建立一个bbt，那么就会在每片NAND芯片上重复以上过程。
接
着，nand_scan_bbt函数会调用check_create函数，该函数会判断是否找到了bbt，其实就是判断bbt_td或者bbt_md中
pages成员变量的值是否有效。若找到了bbt，就会把bbt从NAND芯片中读取出来，并保存到struct
nand_chip中bbt指针指向的内存中；若没找到，就会调用create_bbt函数建立bbt(与bbt存储在内存中时情况一样)，同时把bbt
写入到NAND芯片中去。
MTD坏块管理(二)-内核获取Nandflash的参数过程
MTD坏块管理机制中，起着核心作用的数据结构是nand_chip，在此以TCC8900-Linux中MTD的坏块管理为例作一次介绍。
MTD在Linux内核中同样以模块的形式被启用，TCC_MTD_IO_Init()函数完成了nand_chip初始化、mtd_info初始注册，
坏块表的管理机制建立等工作。
nand_chip在TCC_MTD_IO_Init函数中的实例名称是this,mtd_info 的实例名称为TCC_mtd,这里有一个比较巧妙的处理方法：
TCC_mtd=kmalloc(sizeof(struct mtd_info)+sizeof(struct nand_chip),GFP_KERNEL);
this=(struct nand_chip*)(&TCC_mtd[1]);
在以后的操作中，只需得知TCC_mtd即可找到对应的nan_chip实例。
获得必要的信息后(包括nand_chip方法的绑定)，流程进入nand_scan(TCC_mtd,1).
nand_scan(struct mdt_info *mtd, int maxchips);
调用nand_scan_ident(mtd,maxchips)和nand_scan_tail(mtd)；
nand_scan_ident(...)调用了一个很重要的函数：nand_get_flash_type(...)
*从nand_get_flash_type(...)函数中可以看出每个nandflash前几个字节所代表的意思都是约定好了的：
第一个字节：制造商ID
第二个字节：设备ID
第三个字节：MLC 数据
第四个字节：extid （比较总要）
其中设备ID是访问nand_flash_ids表的参照，该表在drivers/mtd/nand/nand_ids.c中定义
Linux内核在nand_flash_ids参照表中，通过匹配上述设备ID来查找nandflash的详细信息，
nand_flash_ids中的举例如下：
struct nand_flash_dev nand_flash_ids[]={
......
{"NAND 16MiB 1,8V 8-bit", 0x33, 512, 16, 0x4000, 0},
{"NAND 16MiB 3,3V 8-bit", 0x73, 512, 16, 0x4000, 0},
{"NAND 16MiB 1,8V 16-bit", 0x43, 512, 16, 0x4000, NAND_BUSWIDTH_16},
{"NAND 16MiB 3,3V 16-bit", 0x53, 512, 16, 0x4000, NAND_BUSWIDTH_16},
......
}
466 struct nand_flash_dev {
467 char *name;
468 int id;
469 unsigned long pagesize;
470 unsigned long chipsize;
471 unsigned long erasesize;
472 unsigned long options;
473 };
值得一提的是，MTD子系统会把从nand_flash_ids表中找到的chipsize复制给mtd->size，这在有些应用中显得不合适，
在有些方案中，并不是把nandflash的所有存储空间都划分为MTD分区，Telechips的TCC89XX方案就是这样，4G的nandflash
上，可以划分任意大小的MTD分区，错误的mtd->size的后果非常严重，造成系统启动慢，整个MTD的坏块管理机制瘫痪等等。
随后，nand_get_flash_type通过extid计算出了以下信息：
mtd可写区大小：mtd->writesize=1024<<(extid&0x03);
这里可以看成1024*(1*2的(extid&0x03)次方)，
mtdoob区大小：extid>>=2;mtd->oobsize = (8<<(extid&0x1))*(mtd->writesize>>9);
每512字节对应(8*2的(extid&0x1)次方)字节oob数据
mtd擦写块大小：extid>>=2;mtd->erasesize=(64*1024)<<(extid&0x03);
nand数据宽度 ：extid>>=2;busw=(extid&0x01)?NAND_BUSEWIDTH_16:0; 现在大多为8位数据宽度
可以看出第四个字节extid的意义：
高|0 | 0 | 00 | 0 | 0 | 00 |低
|无用|数据宽度|擦写块算阶|无用|oob算阶| 可写区算阶|
nand_get_flash_type(...)还确立了nandflash中的坏块标记在oob信息中的位置:
if(mtd->writesize>512||(busw&NAND_BUSWIDTH_16))
chip->badblockpos = NAND_LARGE_BADBLOCKS_POS;//大页面flash的坏块信息存储地址为oob信息中的第1个字节开始处
else
chip->badblockpos = NAND_SMALL_BADBLOCKS_POS;//大页面flash的坏块信息存储地址为oob信息中的第6个字节开始处
对于Samsun和Hynix的MLC型nandflash，坏块标记所在的页是每块的最后一个页，而Samsung，Hynix，和AMD的SLC型nandflash
中，坏块标记分别保存在每块开始的第1,2个页中，其他型号的nandflash大多都保存在第一个也中，为此需要作下标记：
坏块标记保存在块的最后一页中：chip->options |= NAND_BBT_SCANLASTPAGE;
坏块标记保存在块的第1,2页中 ：chip->options |= NAND_BBT_SCAN2NDPAGE;
nand_scan之后调用nand_scan_tail(mtd)函数，
nand_scan_tail(...)函数主要完成MTD实例中各种方法的绑定，例如：
3338 mtd->read = nand_read;
3339 mtd->write = nand_write;
3340 mtd->panic_write = panic_nand_write;
3341 mtd->read_oob = nand_read_oob;
3342 mtd->write_oob = nand_write_oob;
3343 mtd->sync = nand_sync;
nand_scan_tail(...)调用chip->scan_bbt()完成坏块表的有关操作。
chip->scan_bbt的绑定过程是在nand_scan_ident()->nand_set_defaults():chip->scan_bbt = nand_default_bbt.
即真正用于坏块操作的是nand_default_bbt函数，该函数在nand_bbt.c中被定义。