今天主要解决一下defect语句：
defect region=1 nta=1.55e20 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e16 wga=2 ntd=1.55e20 ngd=0 wgd=0
之前（02）的例子里还有doping的定义：
doping material=IGZO donor concentration=5e17 uniform
doping前：
doping后：
？？？可能是掺杂多了？？？
这篇文章里给出了IGZO部分参数：
语句更改如下：
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15 defect region=1 nta=1e18 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0 interface QF=-2e10 S.I
输出：（-16~-6）
接下来安排：
1.阅读文献，深度理解DOS模型的含义；
2.调试，寻找参数与开关比的关系，调整开关电流；
下午仿真文件目录：
200211_3j
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=15 defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0 interface QF=-5e10 S.I
200211_3j_2
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20 defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4.5e21 ngd=0 wgd=0 interface QF=-5e10 S.I
200211_3j_3
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e21 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20 defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4e20 ngd=0 wgd=0
200211_3j_4
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20 defect region=1 nta=1e17 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=4e20 ngd=0 wgd=0
200211_3j_5
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=20 defect region=1 nta=1e16 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=1e19 ngd=0 wgd=0
200211_3j_6
material material=igzo eg300=3.5 nc300=5e18 nv300=4.5e22 taun0=1e-9 taup0=1e-9 affinity=4.16 mup=0.1 mun=30 defect region=1 nta=1e16 wta=0.013 wtd=0.12 ngd=6.5e14 wga=2 ntd=1e19 ngd=0 wgd=0
输出：
放大，关注的开态电流：
主要变化还是依据于迁移率mun参数的改变，根据文献，开态饱和电流公式：
直接更改的参数只有迁移率与栅电容，但是迁移率有限制，即IGZO迁移率仍存在限制。下一步考虑更改氧化层参数。