判断是冷启动（上电复位）还是热启动（其它原因复位）：在RAM中开辟出一段区域，不让系统开机初始化0,在热启动前进行保护性存储也可判断。
http://blog.csdn.net/Ropai/article/details/8950593
复位电路的可靠性：
http://m.elecfans.com/article/651501.html
高电平复位与低电平复位：就是看通电瞬间/手动复位时复位引脚的电平。手动复位很好判别。上电瞬间可将RC电路中的C可看作是直通，这样就可判断瞬时电平，当达到要求的复位时间(t=rc)后，C达到充电完成的状态，此时复位引脚电平和上电瞬间相反。
复位时间：一般仔细看手册，复位时间实际上等于电源上升的时间加上晶振的起震时间。
转 低电平有效复位电路如下
此复位电路是针对低电平有效复位而言的，其中二极管是起着在断电的情况下能够很快的将电容两端的电压释放掉，为下次上电复位准备。
假设电容两端的初始电压为U0(一般情况下设为0V)，T时刻电容两端电压为UT。3.3V电压设为VCC。
由流经电容的电流I和电容两端的电压变化关系式：I=C*dUt/dt
可以得到：I*dt=C*dU t
两边分别积分可以的得到：I*T=∫(0-1)C*dUt；即I*T=C*Ut−C*U0（其中U0=0V），
由VCC=UR+UT 可以得到公式：VCC=R1*(C*UT/T)+UT
假设对电容充电至UT=0.9*VCC时完成复位，此时可以得出T=9*RC，T就是所需要的复位时间。
一般芯片的复位时间是给出的，R,C其中可以自己确定一个值，然后再求出另外一个值。
在看看高电平有效复位时的RC电路的复位时间的计算过程：其对应的原理图如下：
假设电容两端的初始电压为U0(一般情况下设为0V)，稳定复位T时刻电容两端电压为UT。
电容的充电电流为：Ic=C1*UT/T=Ir
电阻两端的电压可定:UR=R1*(C1*UT/T)
所以又：VCC=UR+UC1
复位引脚电平达到0.9VCC以上认为复位完成，若UR≥0.9VCC时，高电平复位有效，则可以有UT=0.1VCC，
故可有：0.9VCC=R1*(C1*0.1*VCC/T),故可以得到：T=(1/9)*R1*C1。
其中T就是所需的复位时间，原理图中的电阻电容确定一个值，便可以求出另一个值了
时间常数表示过渡反应的时间过程的常数（与电源大小没关系）。指该物理量从最大值衰减到最大值的1/e所需要的时间。对于某一按指数规律衰变的量，其幅值衰变为1/e倍时所需的时间称为时间常数。
RC的时间常数：表示过渡反应的时间过程的常数。在电阻、电容的电路中，它是电阻和电容的乘积。若C的单位是μF（微法），R的单位是MΩ（兆欧），时间常数的单位就是秒。在这样的电路中当恒定电流I流过时，电容的端电压达到最大值（等于IR）的1-1/e时即约0.63倍所需要的时间即是时间常数 ，而在电路断开时，时间常数是电容的端电压达到最大值的1/e，即约0.37倍时所需要的时间。
RLC暂态电路时间常数是在RC电路中，电容电压Uc总是由初始值Uc（0）按指数规律单调的衰减到零，其时间常数 τ =RC。
注：求时间常数时，把电容以外的电路视为有源二端网络，将电源置零，然后求出有源二端网络的等效电阻即为R在RL电路中，iL总是由初始值iL（0）按指数规律单调的衰减到零，其时间常数 τ =L/R
ADC电路经过多长时间单片机可以读到稳定电压（根据戴维南定理将VI对地短路（电压源要短路，电流源要开路。））
