场效应管:

一 PMOS(SI2303):

源极(S)/漏极(D)识别:二直连为S;理论上DS可以互换,S提供载流子,D接收载流子;

P/N沟道识别:中间二极管对外(或寄生二极管方向向下)为P沟道(源极S接高电位,栅极G低电平SD导通),否则为N沟道(源极接低电位)。

pmos管作为负载开关使用时,是由Vsg的电压值来控制S(source源极)和 D(drain漏极)间的通断。

Vgs的最小阀值电压为:0.4v,也就是说当Vsg (Vs-Vg)  > 0.4V 时, 源极 和 漏极导通。因为Rsg为毫欧级别,可认为VS=VG

在实际使用中,一般G极接MCU控制管脚,S极接电源正极VCC,D极为控制电源的输出(接器件的电源输入)。

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