本小节我们以2N4123通用型BJT硅基晶体管为例，来介绍如何阅读BJT的数据规格书，点此链接可以阅读和下载2N4123的数据规格书。
1. 总体性能
打开datasheet后，首先看标题：
图3-8.01
可以看到，这是2N4123、2N4124共用的一个datasheet，而且是通用型NPN硅基三极管。然后在在第一页的右侧，厂家给出了管脚识别方法和管体上的文字标记含义：
图3-8.02
在第一页的主体篇幅，数据规格书列出了这个BJT晶体管的所有极限性能，好让使用者先对这个器件有一个总体的印象，下面我们一条条来看：
图3-8.03
• VCEO：基极开路情况下，CE间的击穿电压，在这一栏中，Value一列有两行，上行30V为2N4123的参数；下行25V为2N4124的参数。后面我们都仅以2N4123的参数为例，不再分2种型号分开罗列描述。（VCEO的电路连接与概念可参看前文的图3-5.06）
• VCBO：发射极开路情况下，CB间的集电结结的反向击穿电压，为40V。（VCBO电路连接和概念可参看前文的图3-3.07和图3-3.10。）
• VEBO：集电极开路情况下，BE间发射结的反偏击穿电压，为5V。
• IC-continuous：可承受的最大连续集电极电流，为200mA。
• PD（@TA=25℃）：环境温度为25℃时的最大耗损功率（TA中A的意思是“Ambient”），典型值为625mW、衰减系数为5mW/℃。这2个是比较重要的参数，请参看下面的详细说明。
• PD（@TC=25℃）：管体表面温度为25℃时的最大耗损功率（TC中C的意思是“Surface”），典型值为1.5W，比上面环境温度为25℃时的PD值大了近3倍。这个也很好理解，一般来说温度越高，晶体管的性能越差。在晶体管电流较大时，管体表面温度有可能远高于环境温度（摸上去都可能烫手），所以限制了最大耗损功率的大小。只有在管体表面加装了面积很大且接触良好的散热片时，才能认为管体表面温度近似等于环境温度，而使用这个1.5W的标称值。
• TJ, Tstg：工作温度范围与仓储温度范围，典型值为-55℃~+150℃。
• RθJA：内部PN结到环境之间的热阻，为200℃/W。关于热阻、温度、功率之间的如何计算，前面的“1-6二极管数据规格书”小节已经介绍过了，这里就不再赘述了，回看可点击这里。
• RθJC：内部PN结到管体表面之间的热阻，为83.3℃/W。
● 关于最大耗损功率的说明：
由于BJT的CE极间有压降VCE、有电流IC，所以三极管本身也是要消耗功率的，而且还不小。根据“功率=电压*电流”的公式，三极管的主要功耗产生在C、E极间（BE间和BC间由于基极电流IB太小，故可以忽略不记）。
所以在做设计时，除了要保证VCE不能超过上面的VCEO、IC不能超过上面的IC-continuous以外，还要计算耗损功率是否会超限，如下图所示：
图3-8.04
在上图中，PD功率曲线下方的绿色区域是安全区域，如果超出这个区域，就会导致晶体管损坏。
衰减系数（Derate above 25℃）5.0mW/℃是指，当温度高于25℃时，每升高1℃，最大耗损功率参数会降低5mW。比如，当环境温度上升到135℃时，本晶体管允许的最大耗损功率PD只有：
当环境温度上升到125℃时，本晶体管允许的最大耗损功率PD更是下降到了：
2. 具体性能参数
从第2页开始，为具体的性能参数表格，我们一个个表格来看：
（1）截止性能参数
图3-8.05
• V(BR)CEO：、V(BR)CBO、V(BR)EBO：这3个参数在前面的总体性能表格中已经出现过，这里只是为了表格完整性再重复罗列一下而已。
• ICBO：指在E极开路，CB间加上20V的反偏电压时，集电结的漏电流，为50nA。（电路连接和概念可参看前文图3-3.07）。一般我们可以通过这个参数计算ICEO（ICEO的概念可参看前文图3-5.06）,具体算式为：ICEO = β ICBO
• IEBO：指在C极开路，EB间加上20V的反偏电压时，发射结的漏电流，为50nA。
（2）导通性能参数
图3-8.06
• hFE：这个就是直流电流放大系数β（至于为什么要写成hFE，这个我们在下一章BJT的交流分析中会讲）。这里我们在表格中可以看到，在IC的两个不同条件下，测得的放大系数不同。在第一个条件（IC=2mA，VCE=1.0V）时，直流放大系数β的值在50~150都是合格的；在第二个条件（IC=50mA，VCE=1.0V）下，放大系数β只有25。
• VCEsat：这个就是在共射放大电路中常用的CE间饱和电压，这里是0.3V。测试条件为IC=50mA，IB=5mA，可以看到，此时直流放大倍数IC/IB=10，远小于放大系数β正常最小值的50，说明确实是饱和了。
• VBEsat：测试条件和上面相同（晶体管处于饱和状态），此时BE间的电压即为VBEsat饱和电压（一般电路分析计算时不常用）。
（3）小信号性能参数
图3-8.07
小信号性能参数基本都为交流参数，这个等我们下一章讲BJT放大电路的交流分析时再讲。现在唯一需要看一下的是上图中的hfe参数（下标fe用小写），即交流电流放大系数βac。
3. 特性曲线
数据规格书的第三部分是本晶体管的特性曲线，其中Figure1~8为交流特性曲线，Figure9~12为直流特性曲线。关于交流特性，我们放到下一章再讲，这里我们仅分析Figue9~12的直流特性曲线：
● 直流增益
图3-8.08
上图为直流增益hFE（即直流β）随IC变化的曲线，测试条件为VCE=1V。从图中我们可以看到，hFE值会受多种因素的影响，hFE不仅会随温变化而变化，还会随集电极电流IC的变化而变化。
这里要说明一下的是纵坐标的表示方式，图中“NORMALIZED”称为“归一化参数”。即：把在+25℃和IC=8mA条件下的hFE作为基准hFE值，其他条件下的hFE值相对于这个基准值的比值。这是个无量纲（即无单位）的参数，常用于表示某值随其他条件的相对变化量。
● 饱和电流范围
图3-8.09
上图为描述饱和区的特性曲线，看上去好像很复杂，其实，只要将其顺时针转90度，就是我们熟悉的图形了：
图3-8.10
上图就是我们非常熟悉的共射组态的输出特性曲线了，其中横坐标为VCE，纵坐标是IB（这个与我们先前学过的图形稍稍不同），其中每条曲线对应于一个IC。其实本质是一样的，只不过把我们以前图中的IB和IC互相调换了一下位置而已。图中橙色部分即为大致的饱和区。
● 一些导通时的电压特性
图3-8.11
上图是进一步描述一些电压-电流特性的。其中VCEsat和VBEsat那两条曲线是描述饱和阈值特性的，测试条件为IC/IB=10，此时的直流放大倍数只有10，远小于正常的hFE值了，所以晶体管一定处于饱和状态。最下面那条曲线为饱和阈值电压VCEsat随IC变化的曲线；最上面那条曲线为饱和阈值电压VBEsat随IC变化的曲线。
中间那条曲线为当VCE恒定保持1V时，VBE和IC的对应关系，此曲线其实和饱和没啥关系，只不过是厂家为了方便，把与IC对应的各种电压描述曲线都放到同一张图里了。
● 温度系数
图3-8.12
先不看图，单讲温度系数的含义。温度系数θ的意思是指，某些参数的值可能会随温度的变化而变化。比如，饱和阈值电压VCEsat，会随环境温度的变化而变化，它的温度系数就定义为：θVC，其在某温度t下的计算式为：
问题在于，θVC这个值本身也不是固定的，它会随着IC的变化而变化。所以，图中上面那组横V字形的曲线组，就用来表示θVC值在25℃以上和25℃以下时θVC与IC的对应关系。同理，下面那组曲线表示θVB和IC的对应关系。
（ end of 3-8）