Introduction
本项目练习使用外部的61LV25616 SRAM，实现以下目标：
- 用KEY0作为时钟输入，驱动一个4位的计数器，以产生一个地址码，然后在前面补充14个0扩展成18位的地址码。这个地址码作为存储器的地址在HEX4和绿色的LED上显示。
- 使用SWITCH[15:0]作为写入SRAM的数据。
- 使用KEY1作为写使能。注意写使能低电平有效，即按钮按下时。
- 在红色LED和HEX3-0上显示存储器总线（读或写）。
- 这个双向的总线可用以下语句配置读或写，注意在Altera的Cyclone II系列，只用FPGA的I/O引脚可作为三态设备。如果指定内部三态，将例化为多路选择器。
assign SRAM_DQ=(key[1]?16’hzzzz:SW[15:0]);
Design
IS61LV25616简介
ISSI IS61LV25616是高速SRAM,容量为512KB。DE2上用的是TSOP封装的。引脚图和说明如下：
代码
1 //Top Module//project 2 External SRAM interface
2
3 module SRAM_IO(
4 input [1:0] KEY, //pushbutton [1:0]
5 input [15:0] SW, //toggle switch[15:0]
6 output [6:0] HEX0, //7-seg display
7 output [6:0] HEX1, //7-seg display
8 output [6:0] HEX2, //7-seg display
9 output [6:0] HEX3, //7-seg display
10 output [6:0] HEX4, //7-seg display
11 output [6:0] HEX5, //7-seg display
12 output [6:0] HEX6, //7-seg display
13 output [3:0] LEDG, //led green[3:0]
14 output [15:0] LEDR, //led red[15:0]
15 inout [15:0] SRAM_DQ, //SRAM data bus 16 bits
16 output [17:0] SRAM_ADDR, //SRAM address bus 18 bits
17 output SRAM_UB_N, //SRAM high-byte data mask
18 output SRAM_LB_N, //SRAM low-byte data mask
19 output SRAM_WE_N, //SRAM write enable
20 output SRAM_CE_N, //SRAM chip enable
21 output SRAM_OE_N //SRAM output enable
22 );
23
24 reg [3:0] shortCount;
25
26 assign HEX5=7'b011_1111; //-
27 assign HEX6=7'b011_1111; //-
28 assign HEX6=7'b011_1111; //-
29
30 //memeory address
31 //connect KEY0 switch to led to upcount and display
32 always @(negedge KEY[0])
33 begin
34 shortCount<=shortCount+1;
35 end
36 assign LEDG[3:0]=shortCount;
37 //display the hex value of the short counter
38 //this is also the memory address
39 HexDigit Digit4(HEX4,shortCount);
40
41 //SRAM Interface
42 assign SRAM_ADDR={14'h0,shortCount}; //SRAM Address bus 18 bits
43 assign SRAM_UB_N=0; //hi byte select enabled
44 assign SRAM_LB_N=0; //lo byte select enabled
45 assign SRAM_CE_N=0; //chip is enabled
46 assign SRAM_WE_N=KEY[1]; //write when KEY1 is pressed
47 assign SRAM_OE_N=0; //output enable is overidden by WE
48 //if KEY1 is not pressed, then float bus, so that SRAM can drive it (read)
49 //if KEY1 is pressed, drive it with data from SW[15:0] to be stored in SRAM (write)
50 assign SRAM_DQ=(KEY[1]?16'hzzzz:SW[15:0]);
51 //show memory on the LEDs and 7-seg display
52 assign LEDR[15:0]=SRAM_DQ;
53 HexDigit Digit0(HEX0,SRAM_DQ[3:0]);
54 HexDigit Digit1(HEX1,SRAM_DQ[7:4]);
55 HexDigit Digit2(HEX2,SRAM_DQ[11:8]);
56 HexDigit Digit3(HEX3,SRAM_DQ[15:12]);
57
58 endmodule
1 //Decode one hex digit for LED 7-seg display
2
3 module HexDigit(segs,num
4 //input [3:0] num,
5 //output reg [6:0] segs
6 );
7 input [3:0] num;
8 output [6:0] segs;
9 reg [6:0] segs;
10
11 always @(num)
12 begin
13 case(num)
14 4'h0: segs = 7'b1000000;
15 4'h1: segs = 7'b1111001;
16 4'h2: segs = 7'b0100100;
17 4'h3: segs = 7'b0110000;
18 4'h4: segs = 7'b0011001;
19 4'h5: segs = 7'b0010010;
20 4'h6: segs = 7'b0000010;
21 4'h7: segs = 7'b1111000;
22 4'h8: segs = 7'b0000000;
23 4'h9: segs = 7'b0010000;
24 4'ha: segs = 7'b0001000;
25 4'hb: segs = 7'b0000011;
26 4'hc: segs = 7'b1000110;
27 4'hd: segs = 7'b0100001;
28 4'he: segs = 7'b0000110;
29 4'hf: segs = 7'b0001110;
30 default segs = 7'b1111111;
31 endcase
32 end
33
34 endmodule
Results and Analysis
经下载测试，按KEY0来产生一个时钟脉冲，驱动4位的计数器，计数输出显示在HEX4和绿色的LED上。当没按下KEY1时，HEX3-0的显示是浮动的，这时SRAM执行的读操作，按下KEY1，HEX3-0显示当前SW[15:0]的值，当然同样的值也显示在红色的LED上，这时为写SRAM。由上面的真值表可知通过KEY1控制WE的高低，进而控制读写。都由
assign SRAM_WE_N=KEY[1];
assign SRAM_DQ = (KEY[1]? 16'hzzzz : SW[15:0]);
实现。
Conclusion
因为本例采用按KEY0产生时钟脉冲的方法来验证SRAM的读写操作。大大简化了时序控制的问题。IS61LV25616共7种端口，16位的双向的数据总线SRAM_DQ；18位的地址总线SRAM_ADDR；高/低8位标记SRAM_UB_N和SRAM_LB_N；读写使能SRAM_WE_N；片选使能SRAM_CE_N;输出使能SRAM_OE_N;标识符里的_N表示低电平有效。本例比较投机的地方就是关于4位计数器生成的地址码，总共16个地址码，便于验证，可每按一次KEY0，设置一次SW[15:0]作为输入数据，再按一次KEY1记录当前数据。连续记录16个数据后，可通过按KEY0观察HEX3-0的输出。
Reference
1> 61LV25616_SRAM data sheet
2> ECE 576 Cornell University
3> Terasic’s DE2 user manual and code example