20145313《信息安全系统设计基础》第7周学习总结

教材学习内容总结

静态RAM：SRAM有双稳态特性。比DRAM更快也更贵。
动态RAM：DRAM对干扰非常敏感。
DRAM芯片中的单元被分层d个超单元，每个超单元都有w个DRAM单元组成。一个d*w的DRAM总共存储了dw位信息。每个超单元有形如（i,j）的地址。存储控制器将行地址和列地址分别发送到DRAM，返回超单元（i,j）的内容。
DRAM和SRAM断电后会失去信息，即易失性存储器。
PROM只能被编程一次。
EPROM可重复编程1000次。
EEPROM可重复编程10^5次。
总线是一组并行导线，能携带地址、数据和控制信号。
读事物从主存传送数据到cpu。反之为写事物。
磁盘每个表面由一组称为磁道的同心圆组成，每个磁道被分为一组扇区。
磁盘容量由记录密度、磁道密度和面密度决定。
对扇区的访问时间包括：寻道时间、旋转时间和传送时间。
DRAM和磁盘的性能要滞后于CPU的性能。现代计算机频繁使用基于SRAM的高数缓存，试图弥补处理器—存储器之间的差距。
局部性原理：程序倾向于引用邻近于其他最近被引用过的数据项的数据项，或者最近引用过的数据项本身。
局部性好的程序用时更短。
步长越短空间局部性越好。
存储器层次结构：上层是下层的高速缓存。
影响高速缓存性能的参数有：高速缓存大小的影响、块大小的影响、相联度的影响、写策略的影响。

	代码行数（新增/累积）	博客量（新增/累积）	学习时间（新增/累积）
目标	5000行	30篇	400小时
第一周	200/200	1/1	20/20
第二周	300/500	1/2	18/38
第三周	500/1000	1/3	22/60
第四周	150/1150	1/4	30/90
第五周	150/1300	1/5	30/120
第六周	50/1350	1/6	30/150