1.反相器延迟：由于电路引入的一种特殊元件导致---电容的存在
半导体产业的一大部分以及后续课程和设计都致力于如何减小延迟
2.MOS管中的电容
栅极加正电压时， 氧化物层两侧聚集电荷，一方面形成导电沟道，一方面形成了电容
模型：在栅源间加电容 CGS
3.电容
集总规定：任意时刻元件内部dq/dt为零
但如果把电容两个极板包块在元件边界内，任意时刻净电荷都为零，因此它是满足LMD的
q = CV ,微分得到 I= CdV/dt (不考虑时变电容)
E= 1/2 CV2
电容可以储存电荷
4. RC电路：节点分析法得到: RC (dVc/dt) + Vc = VI, RC 称作时间常数
再加初始电压 Vc(0)
解微分方程： 齐次解加特殊解
步骤：1. 特解：任意一个满足方程的解都是特殊解。 Vcp = Vi 就是特殊解
2. 齐次解： 试验Aest，得到RCs+1 = 0,所以 Vch = A e-t/RC
3. 求常数：两解相加并带入初始条件
所以 Vc= VI + （V0- VI） e-t/RC