控制回路消耗的功率非常少，因为G端没有电流，输入电阻非常高。同时只有一种粒子在导电，受温度影响比较小（少子不参与），温度稳定性强。
源极是载流子的发源地，漏极是载流子的露出处.因为一般会把衬底和源极接在一起（漏极和源极没有区别，衬底接在哪里哪个就是源极）
三极管有两大作用：开关作用和放大作用
上图中a的耗尽层为什么扩大？
因为Ugs加电压，SiO2上面全是正离子，所以把绝缘层下面的正离子都踢走了，下面又是P型半导体，空穴占多数。所有那一片自由电子和空穴都非常少，称为耗尽层.
因为在NPN的MOS管的沟道中，自由电子占多数，所以是N沟道，沟道的宽度跟UGS的大小相关，UGS越大，沟道越宽。
沟道的宽窄决定电阻的大小，越宽电阻越小。
用电压得到了一个可变电阻器。所以可以用Ugs控制Rds.
上图中的Ugs越大,反型层越宽，当加了Uds后，之间电压变小，反型层越小.靠近d端的电压是Ugs-Uds,所以变小了 但是在没有封闭之前，阻值保持不变。
预夹断之后会进入动态平衡，不会真的夹断，有一条缝隙，Uds再加大，缝隙变长，Id不变，Uds的增大全用来克服夹断区对漏极电流的阻力了。
UGS<UGS(th)是截止，反之有两种状态，如果Uds不是很大的话（Uds<Ugs-Ugs(th)）,在可变电阻区。当Ugs-Uds<Ugs(th)，在恒流区
Ugs在预夹断之后进入恒流区，可以控制Id。
增强型什么意思？
回答：一定要Ugs>Ugs(th)才能导通
