半导体随机存储器

SRAM:(Static Random-Access Memory)静态随机存储器,所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。存取的速度快,一般用来组成高速缓冲存储器。非破坏性读出,不需要再生。
DRAM: (Dynamic Random Access Memory) 动态随机存储器,一般用来组成大容量主存系统,储存的数据需要周期性地更新。DRAM电容上的电荷一般只能维持1-2ms,因此即使电源不断电,信息也会自动消失。为此,每隔一段时间必须刷新,通常取2ms,这个时间成为刷新周期。3种刷新方式:集中刷新,分散刷新和异步刷新。
集中刷新: 在一个刷新周期内,利用一段固定的时间,依次对存储器的所有进行逐一再生,存在“死时间”,又称为访存“死区”。在集中刷新期间(死区)不能访问存储器。
分散刷新: 把对每行的刷新分散到各个工作周期中。没有死区,但是增加了系统的存取周期,降低了整机速度。
异步刷新: 将刷新周期除以行数,得到两次刷新操作之间的时间间隔t,利用逻辑电路每隔时间t产生一次刷新请求。

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