资料:磁角度传感器芯片

应用领域:角度、线性、3D
检测原理:霍尔式(Hall)、各向异性磁阻(AMR)、巨磁电阻(GMR)、隧道磁阻(TMR)
输出方式:模拟电压、PWM、SPI、IIC、SENT、正弦余弦(模拟量或数字量)
主要生产商包括:NXP、Infineon Technologies、TDK、Magnetic Sensors Corporation、Melexis、Allegro
按照不同产品类型,包括如下几个类别:各向异性磁阻效应、巨磁阻效应、隧道磁阻效应
按照不同应用,主要包括如下几个方面:汽车、工业自动化、消费电子、其它
 
▎磁性传感器的概况
磁性传感器具有非接触测量、高可靠、坚固耐用、测量灵敏度高等基本特点。磁场能够
穿透许多非金属物质材料,无须直接接触目标物体就可触发交换过程。通过使用磁性导
体(比如铁),磁场即可被传导到较远的距离,信号就能从温度较高的区域传送出去。
人们把磁场、电流、应力应变、温度、光等引起敏感元件磁性能的变化转换成电信号,
以这种方式来检测相应物理量的器件叫做磁性传感器。它们不但用于检测磁场的大小和
方向,而且还和永磁体等组合,用于位置、速度、角度、温度、电流等各种非磁学量的
非接触检测。
 
▎磁性传感器的种类
自从磁性传感器作为一种独立的产品进入实际应用领域以来,已经从检测的人体微弱磁
场到检测到高达25T以上的强磁场,都可以获得相应种类传感器进行检测。
从原理上,磁性传感器的种类主要有:

 

 

 
-霍尔效应(Hall):当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流
和磁场的方向会产生一附加电场,从而在半导体的两端产生电势差,这一现象被称为霍
尔效应,是目前应用最为广泛的一种效应,本身具有“大磁场范围、无磁滞”等特点。
 
-各向异性磁阻效应(AMR):基于薄膜效应所产生。在薄膜中,如果磁场方向和电流方
向的夹角发生变化,那么材料的电阻率也会发生变化。由于其角度参考的是电流方向,
而大磁场并不会对电流方向产生影响,所以AMR可应用在非常大的磁场范围。不过,该
原理的磁阻变化率和夹角的COSIN平方成正比,因此决定了AMR只适用于180度的角度
范围。与霍尔效应相比,AMR的灵敏度要高得多。
 
-巨磁阻效应(GMR):多层膜结构的材料,在GMR效应中,外部磁场和内部参考磁场
方向之间夹角发生变化,会使材料本身电阻率发生变化。与AMR相比,灵敏度更高,并
且可支持360度的角度范围。需要注意的是,在实际使用过程中,由于其参考方向是多层
膜结构中预置的磁场,受到矫顽力等因素的限制,传感器对外部最大磁场有一定的要
求,如果超过特定的磁场范围,可能造成传感器损伤。
 
-隧道磁阻效应(TMR):比GMR的灵敏度更高、磁阻变化率更大,温度稳定性更好,
由此能实现更低的功耗。
 
磁传感器供应链和关键厂商

 不同磁传感器技术的市场份额

磁传感器技术分类
 
 
 
 
 
 
原文地址:https://www.cnblogs.com/bog-box/p/14595970.html