磁控溅射制备 SiC 薄膜及其高温抗氧化性
- 这篇期刊主要介绍了SiC这种材料具有有禁带宽度大、击穿电压高、电子迁 移率高、热导率高、抗辐射能力强、耐磨损、耐高温氧 化、耐腐蚀等优良的物理化学性能
- 随后介绍了SiC的制备并对其进行测试。
- 得出结论经800 ℃空气气氛退火， SiC 薄膜结晶，同时薄膜表面因氧化反应形成 SiO2 保护层，阻止了内部 SiC 的进一步氧化，因此 SiC 薄膜在 800 ℃具有较好的高温抗氧化性。随着退火温度的升高， SiO2 保护 层破裂，SiC 薄膜被继续氧化。在 1000 ℃时， SiC 薄膜已基本氧化为 SiO2;
电阻阵列红外场景产生器的仿真设计与微细加工工艺研究_孙超
- 这篇论文主要工作是建立基于聚酰亚胺绝热岛设计的薄膜结构电阻阵列红外场景产生器的单元结构模型。
- 利用有限元分析软件对单元结构进行优化设计,得出最优设计的结构参数。
- 研究薄膜结构电阻阵列红外场景产生器的微细加工工艺。通过优化聚酰亚胺薄膜的制备与湿法腐蚀工艺,以及薄膜的直流磁控溅射工艺,研制满足设计要求的2*16薄膜结构电阻阵列红外场景产生器
- 此文章设计了基于绝热岛结构设计的薄膜结构电阻阵列红外场景产生器，NiCr作为发热体电阻材料，Pt作为电极材料，采用热导率较低且具有良好可加工性能的聚酰亚胺作为单元绝热层的材料。所以他没有将聚酰亚胺使用到微桥结构的电阻阵列上，我们的专利是否可以考虑聚酰亚胺这一薄膜材料。
反应磁控溅射方法制备 BCN 薄膜的高温抗氧化
- 这篇期刊主要介绍了采用 AEMS 方法制备了系列 BCN 薄膜，通过改变薄膜中 C 的含量来调节薄膜的微观结构，并研究了不同 C 含量 BCN 薄膜的高温抗氧化行为；
- 结果表明，BCN 薄膜在 600 ℃开始发生氧化反应，且随着温度升高，薄膜氧化程度加剧，薄膜中 C 含量的增加使 BCN 薄膜的抗氧化性能降低。分析认为在 500 ℃以下薄膜结构比较致密，氧气在薄膜内的扩散比较困难，薄膜不易被氧化; 当氧化温度高于600 ℃时，薄膜中的 C － C 键和 C － N 键易被氧化， 在薄膜中留下较多的微孔，这些微孔能够为氧气扩散提供快速通道，加速了薄膜的氧化。
反应磁控溅射方法制备CNx薄膜的高温抗氧化性能
- 这篇期刊主要介绍了采用反应磁控溅射方法在高速钢基体上制备了具有TiN过渡层的CNx薄膜，研究了薄膜中氮含量对薄膜抗氧化性能的影响；
- 结果表明，用反应磁控溅射方法在高速钢基体上制备 了具有TiN过渡层的CNx薄膜，该薄膜在400℃以 下具有较好的抗氧化性能；随着氧化温度升至 500℃，薄膜中的C-C(N)和C=C(N)键开始发生氧化或分解反应；温度的进一步升高使薄膜的氧化程度加剧。
- CNx薄膜中氮含量的增加有利于提高薄膜的高温抗氧化性能。
非平衡磁控溅射 TiAlN 薄膜的高温抗氧化性能研究
- 这篇期刊主要介绍了采用磁控溅射技术在硬质合金表面制备 TiAlN 薄膜，主要研究其在不同温度下的抗氧化性能；
- 结果表明，膜层的物相为 Ti3AlN，在 600℃氧化时膜层中出现新相 Ti6O11，在 800℃氧化时消失。从 800℃开始，试样氧化后的质量大幅度的增加，膜层变得粗糙，基体发生严重氧化。
- 综合判断，TiAlN 薄膜有效工作温度在 800℃以下。
CN201810422560-一种耐磨抗氧化PE薄膜及其制备方法-申请公开
- 此发明涉及聚乙烯pe薄膜制备领域，采用双酚A和三磷酸三苯酯作为联合抗氧化剂，两者相互配合使用可发挥协同作用，可以借鉴。
CN201810792520-一种用于白天辐射制冷的透明柔性薄膜材料及应用-申请公开
- 此发明属于辐射制冷技术领域，并具体公开了一种用于白天辐射制冷的透明柔性薄膜材料及应用，该薄膜材料在太阳光谱波段300nm～ 2500nm具有低于0.5％的吸收率，在可见光谱波段300nm～800nm具有90％以上的透过率，在大气窗口波段8μm～14μm具有92％以上的发射率；
- 这个发明设涉及大气窗口的内容