通常的，我们将数据断电后仍能保留的半导体存储器称为"非易失性（或非发挥性）随机访问存储器"——Non-Volatile Random Access Memory，即NVRAM，而像DRAM与SRAM这样的存储器则就称为VRAM。其实，严格的说，非易失性存储器应该叫NVM（Non-Volatile Memory），因为有些存储器的随机访问能力非常弱，但在本文，为了方便讲述则将它们统一称为NVRAM，这也是由于现有和未来的非易失性存储器都具备不错甚至是非常好的随机寻址能力,凡是具备永久保存数据能力的半导体存储器都可以称之为NVRAM。
MaskROM就是我们以前在课本上说的光罩式只读存储器，OTP则One Time Programmable ROM（只可编程一次只读存储器），EPROM，就是Erasable Programmable ROM（可擦可编程只读存储器），而EPROM与EEPROM的替代者或者说是结合体就是我们今天所常说的闪存。不过，在一些厂商的资料中，我们发现NVRAM是指带有电池的SRAM，显然这是一种特殊的NVRAM。在中板上，用于存储BIOS设置参数的就是位于芯片组南桥的SRAM，这个SRAM平时由主板上的电池供电，若按这个厂商的说法，这也应该算是NVRAM了。
内存
- RAM（Random Access Memory）随机存储器。掉电后数据会消失
- SRAM（（Static RAM）写入的数据不会消失，直到下次写入或掉电。常用于CPU的一级缓存、二级缓存。价格昂贵。
- DRAM（Dynamic RAM）写入的数据不能长期保持，必须在一定时间内进行刷新才能保持。常用作内存。价格低于SRAM
- SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器） clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。 SDRAM已经发展了4代：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。
- DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM（双数据率同步动态随机存储器）的简称。
- ROM（Read Only Memory）只读存储器
- MASK ROM（掩模型只读存储器） 制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。
PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器） 这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为"一次可编程只读存储器"(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其"编程"的目的。
EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器） 这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有"石英玻璃窗"，一个编程后的EPROM芯片的"石英玻璃窗"一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。
EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器） 功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。
Flash Memory（快闪存储器） 这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。
- 包含ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。
- Nor Flash：NOR 的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 1～4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
Nand Flash：NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，常用作 U 盘。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码
- SAS（Serial Access ）串行访问存储器。如果存储器只能按某种顺序来存取，也就是说，存取时间与存储单元的物理位置有关，则这种存储器称为串行访问存储器。
- SAM（顺序存取存储器）和顺序存取存储器是完全的串行访问存储器，如磁带，信息以顺序的方式从存储介质的始端开始写入（或读出）.
- DAM（直接存取存储器）直接存取存储器是部分串行访问存储器，如磁盘存储器，它介于顺序存取和随机存取之间。