Bipolar Junction Transistor共射特性曲线
1、输入特性
输入特性曲线描述管压降（管压降：集电极与发射极间电压）uCE一定时，基极电流iB与发射结压降uBE的关系，下图为不同uCE的曲线簇
在uCE为0~1V时图像随uCE增大渐渐右移，这是由于随着uCE的增大，未能通过基极的非平衡少子（自由电子）会变少，要想再达到所要求的iB，则需要更大的uBE；当uCE大于1V时，管压降达到一定值，这意味着集电结的处的吸引力足够大，使得最终所有电子都可以通过基极到达集电极
2、输出特性
输出特性曲线描述基极电流iB一定时，集电极电流iC与管压降uCE的关系
放大区：以iB1曲线为例，当uCE足够大，达到曲线呈平缓时，集电结出现了我们需要的反偏，发射结处于正偏，也就是iC与iB出现了放大关系，此时的晶体管处于放大区
截止区：iB = 0时，仍然存在一微小电流iCEO（穿透电流），晶体管相当于断路，双结反偏，类似于CE开关的断开
饱和区：iB与iC不互相成比例，uCE极小，集电结正偏；与此同时发射结正偏，双结正偏，类似于CE开关的闭合，此时的β*iB大于外电路所规定的iC的最大值——iCMAX = iC = (VCC - uCE) / RC，此时的iC = iCMAX，不再随iB改变
2021/2/22 18:22
LynnSX in SZ