防反接电路拓扑：
一.采用二极管进行防反接
但是大电流肖特基压降较大，如果用于大电流电路所消耗的功率会非常大，系统热功率也会很大，不适用与对功率或者工作环境有较为严苛的要求的使用环境。我们一般使用MOS管进行防反接保护。
二.利用MOS管进行保护
1.选用NMOS管还是PMOS管？
一般使用NMOS管，因为PMOS管导通电阻与NMOS管比较会较大
NMOS管接在电源的负极，栅极高电平导通。
PMOS管接在电源的正极，栅极低电平导通。
2.NMOS管防反接电路
N沟道MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管提供电压偏置，利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。正接时候，R1提供VGS电压，MOS饱和导通。反接的时候MOS不能导通，所以起到防反接作用。解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。D1为稳压管防止栅源电压过高击穿mos管。
3.PMOS管防反接电路
因为NMOS管的导通电阻比PMOS的小且价格相对更便宜，最好选NMOS
防过压电路拓扑：
假设保护的电压上限是24V（选择对应稳压值的稳压二极管D1），当输入电压 Ubat低于24V时，稳压二极管D1没有击穿而处于截止状态，因此，三极管Q2的基极通过电阻R2与R3上拉到电源Ui，三极管Q2因基-射极同电位而处于截止状态，场效应管Q1因电阻R1与R4对输入电压 Ubat分压，满足栅-源开启电压 VGS而导通,如下图所示
而当输入电压Ui大于24V时，稳压二极管D1因反向被击穿而使阴极稳定在24V，三极管Q2的基-射电压一旦大于阀值电压则开始导通，相当于将场效应管的栅级G与源极S短接，继而导致场效应管Q1截止，输出电压Usafe没有输出，如下图所示：
缓启动电路：
利用米勒平台做缓启动电路，这个网站说的很清楚
http://emakerzone.com/test_comment_info/467/1
且MOS管开启需要一定时间，自然就起到了缓启动的作用。
MOS管常见应用方案总结：
1. 防反接（上已讲）
2. 电源切换电路
3. 电压适配（逻辑电平转换电路）
4. 判断电压状态（充电，掉电）形成IO口控制同等作用
5. 时序要求
- 方便的通过程序控制IO口的高低。来实现对不同用电器上电时间的控制，从而保证一些时序上的要求
6. 锁相
略（狗头）