教材学习内容总结

6.1存储技术

静态RAM（SRAM）：双稳态特性，只要有电，它就会永远地保持它的值。即使有干扰来扰乱电压，当干扰消除时，电路就会恢复到稳定值。
动态RAM（DRAM）：当电容的电压被扰乱之后，它就永远不会恢复了。
传统的DRAM：行地址i称为RAS请求，列地址j称为CAS请求，注意RAS和CAS请求共享相同的DRAM地址引脚。
增强的DRAM
- FTP DRAM（快页模式）：允许对同一行连续地访问可以直接从行缓冲区得到服务。
- EDO DRAM（扩展数据输出）：允许各个CAS信号在时间上靠的更紧密一点。
- SDRAM（同步）：更快。
- DDR SRAM（双倍数据速率）：使用两个时钟沿作为控制信号，从而使DRAM的速度翻倍。
- VRAM（视频）：用在图形系统的帧缓冲区中。
非易失性存储器
- PROM（可编程）：只能被编程一次；EPROM（可擦写可编程）：1000次；EEPROM（电子可擦除）：10^5次。
- 闪存：基于闪存的磁盘驱动器称为SSD（固态硬盘），更快速、更强健、更低能耗。
固件：存储在ROM设备中的程序。
总线是一组并行的导线，能携带地址、数据和控制信号。

磁盘以扇区大小的块来读写数据。访问一个磁盘扇区内容的平均时间为平均寻道时间、平均旋转延迟和平均传送时间之和。
- 访问一个磁盘扇区中512个字节的时间主要是寻道时间和旋转延迟。
- 将寻道时间乘2是估计磁盘访问时间的简单而合理的方法。

直接映射高速缓存：E=1
- 组选择：高速缓存从w的地址中间抽取出s个组索引位。
- 行匹配：当且仅当设置了有效位，而且高速缓存行中的标记与w的地址中的标记相匹配时，这一行中包含w的一个副本。
- 字选择：块偏移位提供了所需要的字的第一个字节的偏移。
- 不命中时的行替换：用新取出的行替换当前的行。

存储器山：读带宽的时间和空间局部性的二维函数。存储器系统的性能不是一个数字就能描述的，相反，它是一座时间和空间局部性的山，这座山的上升高度差别可以超过一个数量级。
在程序中利用局部性：
- 将你的注意力集中在内循环上；
- 以步长为1来读数据；
- 一旦从存储器中读入了一个数据对象，就尽可能地多使用它。

解析中有一句话不太理解 这个文件由2000个512字节的逻辑块组成。

书P409：对于与像磁盘和网络这样的I/O设备容量相关的计量单位，通常K=10^3，M=106，G=10^9，T=1012。

我的理解是：1MB=10^{6字节，512≈5×10}2，10^6/(5×102)=2000。

书中P261：组合逻辑电路可以设计成在字级数据上执行许多不同类型的操作。算术/逻辑单元（ALU）是一种很重要的组合电路。
书中P262：为了产生时序电路，也就是有状态并且在这个状态上进行计算的系统，我们必须引入按位存储信息的设备。存储设备都是由同一个时钟控制的，时钟是一个周期性信号，决定什么时候要把新值加载到设备中。
- 时钟寄存器（简称寄存器）存储单个位或字。时钟信号控制寄存器加载输入值。
- 随机访问存储器（简称内存）存储多个字，用地址来选择该读或该写哪个字。